准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410091050.1

申请日：

2004-11-17

公开(公告)号：

CN1333435C

公开(公告)日：

2005-05-18

发明(设计)人：

彭晖彭一芳

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2184 H01L2120 H01L3300

代理机构：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-22	授权	授权
2005-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-05-18	公开	公开
2016-01-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101640729703 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2004100910501 申请日:20041117 授权公告日:20070822 终止日期:20141117

共 50 条

[1]

导电和绝缘准氮化镓基生长衬底 [P].

彭晖 ;

彭一芳 .

中国专利 :CN1794478A ,2006-06-28

[2]

导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺 [P].

彭晖 ;

彭刚 ;

罗威 .

中国专利 :CN1617363A ,2005-05-18

[3]

基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

朱家铎 ;

陈智斌 ;

庞凯 ;

吕佳骐 ;

许晟瑞 ;

林志宇 ;

宁静 ;

张金 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105931946B ,2016-09-07

[4]

氮化镓生长方法 [P].

段瑞飞 ;

魏同波 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101728248A ,2010-06-09

[5]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[6]

氮化镓晶体生长装置及其生长方法 [P].

乔焜 ;

高明哲 ;

林岳明 .

中国专利 :CN110195258A ,2019-09-03

[7]

氮化镓体单晶及其生长方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN114622274A ,2022-06-14

[8]

在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 [P].

王晓亮 ;

罗卫军 ;

郭伦春 ;

肖红领 ;

李建平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101515543A ,2009-08-26

[9]

基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

庞凯 ;

陈智斌 ;

吕佳骐 ;

朱家铎 ;

许晟瑞 ;

林志宇 ;

宁静 ;

张金 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105861987A ,2016-08-17

[10]

基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

陈智斌 ;

庞凯 ;

吕佳骐 ;

朱家铎 ;

许晟瑞 ;

林志宇 ;

宁静 ;

张金风 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105977135A ,2016-09-28

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