氮化镓晶体生长装置及其生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910620554.4

申请日：

2019-07-10

公开(公告)号：

CN110195258A

公开(公告)日：

2019-09-03

发明(设计)人：

乔焜高明哲林岳明

申请人：

申请人地址：

201613 上海市松江区文翔东路58号9幢1楼

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B710

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;张会华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-03	公开	公开
2021-04-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/40 申请公布日:20190903
2019-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20190710

共 50 条

[1]

一种循环式晶体生长装置及氮化镓晶体生长方法 [P].

李成明 ;

李同权 .

中国专利 :CN115142118A ,2022-10-04

[2]

氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114059162B ,2022-02-18

[3]

氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P].

马可可 ;

夏宁 ;

杨守智 .

中国专利 :CN118957757A ,2024-11-15

[4]

氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

刘运连 ;

薛帅 ;

唐俊杰 .

中国专利 :CN112680780A ,2021-04-20

[5]

钛宝石晶体生长装置及其生长方法 [P].

张小翠 ;

司继良 ;

徐民 .

中国专利 :CN103726105A ,2014-04-16

[6]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

赵青松 ;

牛晓东 ;

顾小英 ;

胡智向 .

中国专利 :CN112725890A ,2021-04-30

[7]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382B ,2025-11-14

[8]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN112746315A ,2021-05-04

[9]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382A ,2024-12-13

[10]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

堀冈佑吉 .

中国专利 :CN102187018A ,2011-09-14

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