导电和绝缘准氮化镓基生长衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510113997.2

申请日：

2005-11-01

公开(公告)号：

CN1794478A

公开(公告)日：

2006-06-28

发明(设计)人：

彭晖彭一芳

申请人：

申请人地址：

100871北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及其生长方法 [P].

彭晖 ;

彭一芳 .

中国专利 :CN1333435C ,2005-05-18

[2]

导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺 [P].

彭晖 ;

彭刚 ;

罗威 .

中国专利 :CN1617363A ,2005-05-18

[3]

复合式氮化镓基半导体生长衬底 [P].

庄家铭 ;

王振祖 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 .

中国专利 :CN202549913U ,2012-11-21

[4]

制备用于生长氮化镓的衬底和制备氮化镓衬底的方法 [P].

金容进 ;

金知勋 ;

李东键 ;

金杜洙 ;

李浩准 .

中国专利 :CN101388338B ,2009-03-18

[5]

氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法 [P].

庄家铭 ;

徐宸科 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 .

中国专利 :CN105633234A ,2016-06-01

[6]

陶瓷衬底的氮化镓基芯片 [P].

金木子 ;

彭刚 .

中国专利 :CN202058735U ,2011-11-30

[7]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[8]

生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓衬底的方法 [P].

竹山知阳 .

中国专利 :CN101918625A ,2010-12-15

[9]

采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法 [P].

梁辉南 .

中国专利 :CN107910244B ,2018-04-13

[10]

氮化镓衬底 [P].

木山诚 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN106536794B ,2017-03-22

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20051101 授权公告日:20090513 终止日期:20201101
2009-05-13	授权	授权
2013-10-16	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101660067665 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005101139972 登记号:2013990000603 登记生效日:20130822 出质人:亚威朗光电(中国)有限公司质权人:海盐杭州湾大桥新区开发有限公司发明名称:导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其制造方法申请日:20051101 授权公告日:20090513
2015-10-14	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的注销号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101721121884 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20090513 申请日:20051101 专利号:ZL2005101139972 登记号:2013990000603 出质人:亚威朗光电(中国)有限公司质权人:海盐杭州湾大桥新区开发有限公司解除日:20150813
2006-06-28	公开	公开
2015-09-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101720782072 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005101139972 变更事项:专利权人变更前权利人:亚威朗光电(中国)有限公司变更后权利人:浙江亚威朗科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:314305 浙江省海盐县大桥新区经济开发区银滩路1号变更后权利人:314300 浙江省嘉兴市海盐县经济开发区杭州湾大桥新区01省道、B7道路东登记生效日:20150824
2011-04-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101081116072 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005101139972 变更事项:专利权人变更前权利人:金芃变更后权利人:亚威朗光电(中国)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号变更后权利人:314305 浙江省海盐县大桥新区经济开发区银滩路1号变更事项:共同专利权人变更前权利人:彭晖变更后权利人:无登记生效日:20110311
2013-05-29	专利权的保全及其解除	专利权的保全号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101595603508 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005101139972 申请日:20051101 授权公告日:20090513 登记生效日:20130423 解除日:无
2013-08-21	专利权的保全及其解除	专利权保全的解除号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101651455007 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005101139972 申请日:20051101 授权公告日:20090513 登记生效日:无解除日:20130716
2013-08-28	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的注销号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101639025041 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20090513 申请日:20051101 专利号:ZL2005101139972 登记号:2013990000017 出质人:亚威朗光电(中国)有限公司质权人:上海浦东发展银行股份有限公司嘉兴分行解除日:20130702
2006-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-03-06	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效号牌文件序号:101515207546 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005101139972 登记号:2013990000017 登记生效日:20130108 出质人:亚威朗光电(中国)有限公司质权人:上海浦东发展银行股份有限公司嘉兴分行发明名称:导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其制造方法申请日:20051101 授权公告日:20090513 号牌文件类型代码:1602