一种硅片扩散后清洗工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711057485.8

申请日：

2017-11-01

公开(公告)号：

CN109755099B

公开(公告)日：

2019-05-14

发明(设计)人：

黄志焕李亚哲徐长坡陈澄梁效峰杨玉聪王晓捧

申请人：

申请人地址：

300380 天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213

代理人：

栾志超

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20171101
2019-05-14	公开	公开
2022-04-08	授权	授权

共 50 条

[1]

硅片的后清洗工艺 [P].

张学玲 .

中国专利 :CN101976700A ,2011-02-16

[2]

一种硅片CMP后的清洗工艺 [P].

余涛 ;

唐杰 .

中国专利 :CN109742018B ,2019-05-10

[3]

一种硅片减薄后的清洗工艺 [P].

张冲波 ;

吴镐硕 ;

李皓 ;

刘琦 ;

武卫 ;

孙晨光 .

中国专利 :CN109675858A ,2019-04-26

[4]

一种硅片清洗工艺 [P].

崔敏娟 .

中国专利 :CN107552481A ,2018-01-09

[5]

一种硅片清洗工艺 [P].

袁祥龙 ;

刘园 ;

武卫 ;

孙晨光 ;

刘建伟 ;

由佰玲 ;

常雪岩 ;

谢艳 ;

杨春雪 ;

刘秒 ;

裴坤羽 ;

祝斌 ;

刘姣龙 ;

王彦君 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN111199874A ,2020-05-26

[6]

一种硅片清洗工艺 [P].

闫志瑞 ;

库黎明 ;

常青 .

中国专利 :CN102486994A ,2012-06-06

[7]

一种大尺寸硅片最终抛光后清洗工艺 [P].

张琪 ;

王莎 ;

王壹帆 ;

王凯 ;

周霖 ;

潘凤利 ;

李博 ;

冯帆 ;

段一菲 ;

胡晓丹 .

中国专利 :CN119673752A ,2025-03-21

[8]

硅片清洗工艺 [P].

冯雪 ;

王庆波 .

中国专利 :CN121034945A ,2025-11-28

[9]

扩散后单晶硅片次品返工方法 [P].

吴艳芬 ;

詹国平 ;

陈筑 ;

刘晓巍 ;

刘伟 ;

徐晓群 .

中国专利 :CN102768952B ,2012-11-07

[10]

硅片清洗工艺 [P].

金文明 ;

贺贤汉 ;

张恩泽 ;

吴佳明 .

中国专利 :CN103762155A ,2014-04-30

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