一种大尺寸硅片最终抛光后清洗工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411654933.2

申请日：

2024-11-19

公开(公告)号：

CN119673752A

公开(公告)日：

2025-03-21

发明(设计)人：

张琪王莎王壹帆王凯周霖潘凤利李博冯帆段一菲胡晓丹

申请人：

万华化学集团电子材料有限公司万华化学集团股份有限公司

申请人地址：

265503 山东省烟台市中国（山东）自由贸易试验区烟台片区烟台开发区北京中路50号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

B08B3/02 B08B3/08 B08B3/14 B08B1/12 B08B1/34 B08B11/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20241119
2025-03-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种大尺寸硅片碱腐清洗装置及清洗工艺 [P].

刘姣龙 ;

武卫 ;

孙晨光 ;

刘建伟 ;

由佰玲 ;

刘园 ;

谢艳 ;

杨春雪 ;

刘秒 ;

常雪岩 ;

裴坤羽 ;

祝斌 ;

王彦君 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN110931348A ,2020-03-27

[2]

一种硅片扩散后清洗工艺 [P].

黄志焕 ;

李亚哲 ;

徐长坡 ;

陈澄 ;

梁效峰 ;

杨玉聪 ;

王晓捧 .

中国专利 :CN109755099B ,2019-05-14

[3]

硅片的后清洗工艺 [P].

张学玲 .

中国专利 :CN101976700A ,2011-02-16

[4]

一种大尺寸硅片双面抛光方法 [P].

祝斌 ;

武卫 ;

刘建伟 ;

刘园 ;

刘姣龙 ;

裴坤羽 ;

杨春雪 ;

由佰玲 ;

孙晨光 ;

王彦君 ;

常雪岩 ;

谢艳 ;

袁祥龙 ;

张宏杰 ;

刘秒 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN113001379A ,2021-06-22

[5]

一种大尺寸硅片双面抛光装置 [P].

祝斌 ;

武卫 ;

刘建伟 ;

刘园 ;

刘姣龙 ;

裴坤羽 ;

杨春雪 ;

由佰玲 ;

孙晨光 ;

王彦君 ;

常雪岩 ;

谢艳 ;

袁祥龙 ;

张宏杰 ;

刘秒 ;

吕莹 ;

徐荣清 .

中国专利 :CN214685873U ,2021-11-12

[6]

一种硅片CMP后的清洗工艺 [P].

余涛 ;

唐杰 .

中国专利 :CN109742018B ,2019-05-10

[7]

一种用于硅片清洗抛光的混酸清洗液及抛光硅片清洗方法 [P].

杉原一男 ;

贺贤汉 ;

李飞 ;

赵剑锋 ;

洪漪 .

中国专利 :CN113736580A ,2021-12-03

[8]

一种硅片的抛光后清洗方法 [P].

张俊宝 ;

陈猛 .

中国专利 :CN113496868A ,2021-10-12

[9]

一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法 [P].

赵厚莹 .

中国专利 :CN109326501A ,2019-02-12

[10]

一种大尺寸硅片研磨工艺 [P].

裴坤羽 ;

祝斌 ;

刘姣龙 ;

袁祥龙 ;

武卫 ;

刘建伟 ;

刘园 ;

由佰玲 ;

吕莹 ;

徐荣清 ;

常雪岩 ;

张宏杰 ;

刘秒 ;

杨春雪 ;

谢艳 ;

孙晨光 ;

王彦君 .

中国专利 :CN113001392A ,2021-06-22

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