一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法

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专利类型
发明
申请号
CN201710641819.X
申请日
2017-07-31
公开(公告)号
CN109326501A
公开(公告)日
2019-02-12
发明(设计)人
赵厚莹
申请人
申请人地址
201306 上海市浦东新区临港新城云水路1000号
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
代理机构
北京市磐华律师事务所 11336
代理人
高伟;张建
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体晶圆的最终抛光机以及最终抛光及清洗方法 [P]. 
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[4]
一种半导体晶圆的清洗方法 [P]. 
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[5]
半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P]. 
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[7]
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一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法 [P]. 
彭洪修 ;
王胜利 ;
杨春晓 .
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[9]
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[10]
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