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一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710641819.X
申请日
:
2017-07-31
公开(公告)号
:
CN109326501A
公开(公告)日
:
2019-02-12
发明(设计)人
:
赵厚莹
申请人
:
申请人地址
:
201306 上海市浦东新区临港新城云水路1000号
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市磐华律师事务所 11336
代理人
:
高伟;张建
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-03-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170731
2021-06-22
授权
授权
2019-02-12
公开
公开
共 50 条
[1]
一种半导体晶圆的最终抛光机以及最终抛光及清洗方法
[P].
赵厚莹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵厚莹
.
中国专利
:CN109318114A
,2019-02-12
[2]
一种半导体晶圆的最终抛光设备
[P].
崔世勋
论文数:
0
引用数:
0
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0
崔世勋
.
中国专利
:CN213731050U
,2021-07-20
[3]
半导体晶圆的清洗方法
[P].
水晓凤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
水晓凤
.
中国专利
:CN108630518B
,2018-10-09
[4]
一种半导体晶圆的清洗方法
[P].
赵厚莹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵厚莹
.
中国专利
:CN109326500A
,2019-02-12
[5]
半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆
[P].
柳井凉一
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
胜高股份有限公司
胜高股份有限公司
柳井凉一
.
日本专利
:CN120731491A
,2025-09-30
[6]
半导体晶圆的清洗方法
[P].
汤舍予
论文数:
0
引用数:
0
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0
汤舍予
;
谢宝强
论文数:
0
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0
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0
谢宝强
;
周祖源
论文数:
0
引用数:
0
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0
周祖源
.
中国专利
:CN102039282A
,2011-05-04
[7]
一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法
[P].
彭洪修
论文数:
0
引用数:
0
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0
彭洪修
;
王胜利
论文数:
0
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0
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0
王胜利
;
杨春晓
论文数:
0
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0
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0
杨春晓
.
中国专利
:CN101162684A
,2008-04-16
[8]
一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法
[P].
彭洪修
论文数:
0
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0
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0
彭洪修
;
王胜利
论文数:
0
引用数:
0
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0
王胜利
;
杨春晓
论文数:
0
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0
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杨春晓
.
中国专利
:CN101529559A
,2009-09-09
[9]
一种半导体晶圆的双面抛光工艺
[P].
吴龙军
论文数:
0
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0
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0
吴龙军
.
中国专利
:CN113941952B
,2022-01-18
[10]
半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法
[P].
王超
论文数:
0
引用数:
0
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0
王超
.
中国专利
:CN105551942B
,2016-05-04
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