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半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610024141.6
申请日：
2016-01-14
公开(公告)号：
CN105551942B
公开(公告)日：
2016-05-04
发明(设计)人：
王超
申请人：
申请人地址：
610000 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
IPC主分类号：
H01L2102
IPC分类号：
代理机构：
成都华风专利事务所(普通合伙) 51223
代理人：
胡川
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2016-05-04 | 公开 | 公开 |
| 2019-01-15 | 授权 | 授权 |
| 2016-06-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662924445 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2016100241416 申请日:20160114 |