一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610117137.0

申请日：

2006-10-13

公开(公告)号：

CN101162684A

公开(公告)日：

2008-04-16

发明(设计)人：

彭洪修王胜利杨春晓

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613－618室

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2102 H01L2130 H01L21306 B08B300

代理机构：

上海虹桥正瀚律师事务所

代理人：

李佳铭

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101002640209 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2006101171370 申请公布日:20080416
2008-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法 [P].

彭洪修 ;

王胜利 ;

杨春晓 .

中国专利 :CN101529559A ,2009-09-09

[2]

一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗机 [P].

金逸超 .

中国专利 :CN112185860A ,2021-01-05

[3]

半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法 [P].

王超 .

中国专利 :CN105551942B ,2016-05-04

[4]

半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

柳井凉一 .

日本专利 :CN120731491A ,2025-09-30

[5]

半导体晶圆的清洗方法 [P].

水晓凤 .

中国专利 :CN108630518B ,2018-10-09

[6]

半导体晶圆的清洗方法 [P].

汤舍予 ;

谢宝强 ;

周祖源 .

中国专利 :CN102039282A ,2011-05-04

[7]

一种半导体晶圆蚀刻残留物的清洗方法 [P].

于昊 ;

彭洪修 ;

刘兵 .

中国专利 :CN101599417A ,2009-12-09

[8]

一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法 [P].

赵厚莹 .

中国专利 :CN109326501A ,2019-02-12

[9]

一种半导体晶圆的清洗方法 [P].

赵厚莹 .

中国专利 :CN109326500A ,2019-02-12

[10]

一种半导体晶圆清洗后的干燥方法 [P].

李司元 ;

颜维成 ;

江富杰 .

中国专利 :CN107833826A ,2018-03-23

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