一种半导体晶圆蚀刻残留物的清洗方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810038694.2

申请日：

2008-06-06

公开(公告)号：

CN101599417A

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

于昊彭洪修刘兵

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2102 H01L21306 B08B312

代理机构：

上海翰鸿律师事务所

代理人：

李佳铭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101091109537 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2008100386942 申请日:20080606
2013-03-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101551199020 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2008100386942 申请公布日:20091209
2009-12-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于半导体晶圆等离子蚀刻残留物的清洗液 [P].

颜维成 ;

孙虹艳 .

中国专利 :CN107678253A ,2018-02-09

[2]

半导体晶圆的清洗方法 [P].

刘洪伟 .

中国专利 :CN1480990A ,2004-03-10

[3]

一种半导体晶圆清洗装置 [P].

刘金章 ;

杨欣泽 .

中国专利 :CN208538807U ,2019-02-22

[4]

一种半导体晶圆的清洗方法 [P].

江富杰 ;

张飞凡 .

中国专利 :CN107799393A ,2018-03-13

[5]

一种半导体晶圆清洗方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN107359109A ,2017-11-17

[6]

一种半导体晶圆清洗方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN107359108A ,2017-11-17

[7]

半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

柳井凉一 .

日本专利 :CN120731491A ,2025-09-30

[8]

一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法 [P].

彭洪修 ;

王胜利 ;

杨春晓 .

中国专利 :CN101162684A ,2008-04-16

[9]

一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法 [P].

彭洪修 ;

王胜利 ;

杨春晓 .

中国专利 :CN101529559A ,2009-09-09

[10]

含氟气体刻蚀残留物的清洗方法、晶圆及其制备方法 [P].

欧阳文森 ;

赵亮 ;

王胜林 .

中国专利 :CN117672817A ,2024-03-08

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