一种半导体晶圆的双面抛光工艺

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专利类型
发明
申请号
CN202111291732.7
申请日
2021-11-01
公开(公告)号
CN113941952B
公开(公告)日
2022-01-18
发明(设计)人
吴龙军
申请人
申请人地址
221400 江苏省徐州市新沂市锡沂高新区一带一路智慧光电产业园14#标房
IPC主分类号
B24B3708
IPC分类号
B24B3704 B24B3734 B24B5702 C09G102
代理机构
苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) 32267
代理人
石磊
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种晶圆的双面抛光方法 [P]. 
崔世勳 ;
李章熙 .
中国专利 :CN107398780A ,2017-11-28
[2]
一种半导体晶圆双面抛光设备及工艺 [P]. 
江子标 ;
刘贺 ;
李新 .
中国专利 :CN115533722A ,2022-12-30
[3]
一种半导体晶圆抛光装置 [P]. 
袭祥栋 ;
王军 .
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[4]
半导体晶圆背面抛光装置 [P]. 
张圆圆 ;
黄玉兰 ;
莫才平 ;
田坤 ;
刘刚明 ;
唐祖荣 .
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[5]
一种半导体晶圆的最终抛光设备 [P]. 
崔世勋 .
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[6]
一种半导体级单晶硅晶圆衬底的抛光工艺 [P]. 
周庆饴 ;
贺金元 ;
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[7]
一种蓝宝石半导体衬底的抛光工艺 [P]. 
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[8]
用于抛光半导体晶圆的设备 [P]. 
J·弗兰克 ;
L·兰普雷希特 .
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[9]
一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法 [P]. 
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中国专利 :CN109326501A ,2019-02-12
[10]
一种半导体用晶圆抛光设备 [P]. 
黄卫良 ;
徐梓辰 .
中国专利 :CN111002205A ,2020-04-14