栅极结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580033871.2

申请日：

2005-10-05

公开(公告)号：

CN101061586A

公开(公告)日：

2007-10-24

发明(设计)人：

玛库斯·穆勒彼诺伊特·弗洛米尼

申请人：

申请人地址：

法国克鲁勒斯

IPC主分类号：

H01L2949

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李德山

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183762539 IPC(主分类):H01L 29/49 专利申请号:2005800338712 公开日:20071024
2007-10-24	公开	公开
2007-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

栅极结构的制造方法 [P].

李秋德 .

中国专利 :CN101562131A ,2009-10-21

[2]

栅极结构及制造方法 [P].

陈瑜 ;

陈华伦 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103579317A ,2014-02-12

[3]

一种栅极结构及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107437501A ,2017-12-05

[4]

CMOS器件的栅极结构及其制造方法 [P].

陈瑜 ;

罗啸 ;

袁苑 .

中国专利 :CN104779273A ,2015-07-15

[5]

栅极结构及其制造方法 [P].

黃育峰 .

中国专利 :CN103779401A ,2014-05-07

[6]

EEPROM的栅极制造方法及其制造的栅极 [P].

黄奕仙 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN102097386A ,2011-06-15

[7]

EEPROM的栅极制造方法及其制造的栅极 [P].

黄奕仙 ;

陈昊瑜 ;

徐向明 .

中国专利 :CN102130065B ,2011-07-20

[8]

栅极结构的制造方法 [P].

彭坤 .

中国专利 :CN101651095A ,2010-02-17

[9]

沟槽栅极结构及其制造方法 [P].

卞铮 .

中国专利 :CN107527800B ,2017-12-29

[10]

栅极组件及其制造方法 [P].

郭治群 .

中国专利 :CN100438070C ,2003-08-20

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