一种栅极结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610363345.2

申请日：

2016-05-26

公开(公告)号：

CN107437501A

公开(公告)日：

2017-12-05

发明(设计)人：

马万里

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

陶敏;刘芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20160526
2020-04-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20171205
2017-12-05	公开	公开

共 50 条

[1]

栅极结构及制造方法 [P].

陈瑜 ;

陈华伦 ;

罗啸 .

中国专利 :CN103579317A ,2014-02-12

[2]

栅极结构及其制造方法 [P].

玛库斯·穆勒 ;

彼诺伊特·弗洛米尼 .

中国专利 :CN101061586A ,2007-10-24

[3]

CMOS器件的栅极结构及其制造方法 [P].

陈瑜 ;

罗啸 ;

袁苑 .

中国专利 :CN104779273A ,2015-07-15

[4]

栅极结构及其制造方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN102456724A ,2012-05-16

[5]

栅极结构及其制造方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

张世谋 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101211769A ,2008-07-02

[6]

栅极结构及方法 [P].

陈瑜 ;

熊涛 ;

罗啸 .

中国专利 :CN102446734A ,2012-05-09

[7]

EEPROM的栅极制造方法及其制造的栅极 [P].

黄奕仙 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN102097386A ,2011-06-15

[8]

EEPROM的栅极制造方法及其制造的栅极 [P].

黄奕仙 ;

陈昊瑜 ;

徐向明 .

中国专利 :CN102130065B ,2011-07-20

[9]

栅极结构的制造方法 [P].

李秋德 .

中国专利 :CN101562131A ,2009-10-21

[10]

一种半导体器件的栅极结构及其制造方法 [P].

李学会 .

中国专利 :CN105140273A ,2015-12-09

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