栅极结构及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210283178.2

申请日：

2012-08-10

公开(公告)号：

CN103579317A

公开(公告)日：

2014-02-12

发明(设计)人：

陈瑜陈华伦罗啸

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101748871837 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012102831782 申请公布日:20140212
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101578339484 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012102831782 申请日:20120810
2014-02-26	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101691707982 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012102831782 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140116
2014-02-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种栅极结构及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107437501A ,2017-12-05

[2]

栅极结构及方法 [P].

陈瑜 ;

熊涛 ;

罗啸 .

中国专利 :CN102446734A ,2012-05-09

[3]

栅极结构的制造方法 [P].

李秋德 .

中国专利 :CN101562131A ,2009-10-21

[4]

栅极结构及其制造方法 [P].

玛库斯·穆勒 ;

彼诺伊特·弗洛米尼 .

中国专利 :CN101061586A ,2007-10-24

[5]

CMOS器件的栅极结构及其制造方法 [P].

陈瑜 ;

罗啸 ;

袁苑 .

中国专利 :CN104779273A ,2015-07-15

[6]

栅极结构及其制造方法及具此栅极结构的金氧半导体元件 [P].

陈佳麟 ;

姚亮吉 ;

陈世昌 .

中国专利 :CN1481031A ,2004-03-10

[7]

多晶硅栅极结构 [P].

刘继全 ;

彭虎 .

中国专利 :CN102376756A ,2012-03-14

[8]

半导体器件栅极结构的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101038870A ,2007-09-19

[9]

改善N型和P型栅极多晶硅接触的方法 [P].

陈瑜 ;

马斌 ;

陈华伦 ;

罗啸 ;

郭振强 .

中国专利 :CN104637880A ,2015-05-20

[10]

栅极制造方法 [P].

向阳辉 ;

刘艳 .

中国专利 :CN102074466A ,2011-05-25

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