半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710536496.8

申请日：

2017-06-26

公开(公告)号：

CN107658334A

公开(公告)日：

2018-02-02

发明(设计)人：

宫本广信中山达峰壶井笃司冈本康宏川口宏

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉;董典红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-02	公开	公开
2019-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20170626

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

岛本泰洋 ;

由上二郎 ;

井上真雄 ;

水谷齐治 .

中国专利 :CN1870267A ,2006-11-29

[3]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

森日出树 .

中国专利 :CN101661935B ,2010-03-03

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN110246845B ,2024-06-21

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

冈本康宏 ;

中山达峰 ;

井上隆 .

中国专利 :CN104377240B ,2015-02-25

[6]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

佐藤浩 .

中国专利 :CN101796645B ,2010-08-04

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

宫本广信 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

壶井笃司 .

中国专利 :CN108933177A ,2018-12-04

[8]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

馆下八州志 .

中国专利 :CN101304028A ,2008-11-12

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

天羽生淳 .

中国专利 :CN110246845A ,2019-09-17

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

满生彰 ;

中山知士 ;

清水繁明 ;

奥秋广幸 .

中国专利 :CN105390546A ,2016-03-09

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