半导体器件和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610082652.X

申请日：

2006-05-24

公开(公告)号：

CN1870267A

公开(公告)日：

2006-11-29

发明(设计)人：

岛本泰洋由上二郎井上真雄水谷齐治

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L27092 H01L2978 H01L2951 H01L218238 H01L218234 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

季向冈

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-11-29	公开	公开
2008-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-12-01	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101046585284 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:200610082652X 变更事项:申请人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20101020
2013-11-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101675938644 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:200610082652X 申请公布日:20061129

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

岛本泰洋 ;

由上二郎 ;

井上真雄 ;

水谷齐治 .

中国专利 :CN103354238A ,2013-10-16

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

宫本广信 ;

中山达峰 ;

壶井笃司 ;

冈本康宏 ;

川口宏 .

中国专利 :CN107658334A ,2018-02-02

[4]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

森日出树 .

中国专利 :CN101661935B ,2010-03-03

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN110246845B ,2024-06-21

[6]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

荣森贵尚 ;

三濑信行 .

中国专利 :CN101651120B ,2010-02-17

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

冈本康宏 ;

中山达峰 ;

井上隆 .

中国专利 :CN104377240B ,2015-02-25

[8]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

佐藤浩 .

中国专利 :CN101796645B ,2010-08-04

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

宫本广信 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

壶井笃司 .

中国专利 :CN108933177A ,2018-12-04

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

馆下八州志 .

中国专利 :CN101304028A ,2008-11-12

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