一种锗晶片双面抛光的方法

被引：0

申请号：

CN202210519057.7

申请日：

2022-05-13

公开(公告)号：

CN114800222A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

宋志强刘兴达柯尊斌王卿伟

申请人：

申请人地址：

211299 江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号

IPC主分类号：

B24B2902

IPC分类号：

B24B2700 B24B4106 B24B4712 B24B5702

代理机构：

南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341

代理人：

李建芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 29/02 申请日:20220513

共 50 条

[1]

双面抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 ;

T·布施哈尔特 ;

R·柯普尔特 .

中国专利 :CN102205520A ,2011-10-05

[2]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN102990505A ,2013-03-27

[3]

半导体晶片双面抛光的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN104476384B ,2015-04-01

[4]

双面抛光半导体晶片的方法 [P].

J·施万德纳 .

中国专利 :CN101927447A ,2010-12-29

[5]

一种粗抛光锗晶片背面黏胶清洗方法 [P].

郭建新 ;

刘汉保 ;

韦华 ;

赵磊 ;

吕春富 ;

杨春柳 ;

李国芳 .

中国专利 :CN116004332B ,2024-05-10

[6]

一种碳化硅晶片的双面抛光方法 [P].

詹琳 .

中国专利 :CN105666300A ,2016-06-15

[7]

一种用于锗晶片的抛光液及其制备方法 [P].

仲跻和 .

中国专利 :CN101081965A ,2007-12-05

[8]

一种锗晶片的清洗方法 [P].

王金灵 ;

田玉莲 ;

吴倩 .

中国专利 :CN118455160A ,2024-08-09

[9]

一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片 [P].

杨红英 .

中国专利 :CN115070512B ,2024-04-26

[10]

一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片 [P].

杨红英 .

中国专利 :CN115070512A ,2022-09-20

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