一种CMOS反相器及其制备方法

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申请号
CN202211103037.8
申请日
2022-09-09
公开(公告)号
CN115394801A
公开(公告)日
2022-11-25
发明(设计)人
韩江丽 荣欣 段炼 董桂芳
申请人
申请人地址
100084 北京市海淀区清华园1号
IPC主分类号
H01L2728
IPC分类号
H01L5140 H01L5105 H01L5110
代理机构
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250
代理人
薛异荣
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种CMOS反相器的制备方法 [P]. 
谢华飞 ;
陈书志 ;
李佳育 .
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[2]
反相器及其制备方法 [P]. 
江潮 ;
李默林 ;
王嘉玮 .
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[3]
CMOS反相器及阵列基板 [P]. 
周星宇 ;
徐源竣 ;
任章淳 ;
吴元均 ;
吕伯彦 ;
杨伯儒 ;
陈昌东 ;
刘川 .
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[4]
一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器 [P]. 
李俊鹏 ;
陈军飞 ;
王晗雪 ;
陈兴 ;
任泽阳 .
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[5]
CMOS反相器 [P]. 
林爱梅 ;
吕瑞霖 ;
王鹢奇 .
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[6]
CMOS反相器 [P]. 
翁文寅 .
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[7]
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梁月松 ;
陈根强 ;
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王艳丰 ;
林芳 ;
张明辉 ;
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[8]
一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
王玮 ;
梁月松 ;
陈根强 ;
牛田林 ;
王艳丰 ;
林芳 ;
张明辉 ;
问峰 ;
王宏兴 .
中国专利 :CN119133182B ,2025-12-02
[9]
一种识别红蓝光的CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
邹俊龙 ;
蒂姆·莱德克 .
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[10]
反相器制造方法和反相器 [P]. 
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安部胜美 ;
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