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一种识别红蓝光的CMOS反相器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510203245.2
申请日：
2025-02-24
公开(公告)号：
CN120051104A
公开(公告)日：
2025-05-27
发明(设计)人：
邹俊龙 蒂姆·莱德克
申请人：
电子科技大学
申请人地址：
611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
IPC主分类号：
H10K39/32
IPC分类号：
H10K71/16 C30B33/00 C30B31/06 C30B29/06
代理机构：
电子科技大学专利中心 51203
代理人：
曾磊
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-27 公开 公开
2025-06-13 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10K 39/32申请日:20250224
共 50 条
[1]
一种CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
韩江丽 ;
荣欣 ;
段炼 ;
董桂芳 .
中国专利 :CN115394801A ,2022-11-25
[2]
一种CMOS反相器的制备方法 [P]. 
谢华飞 ;
陈书志 ;
李佳育 .
中国专利 :CN111128680A ,2020-05-08
[3]
一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器 [P]. 
李俊鹏 ;
陈军飞 ;
王晗雪 ;
陈兴 ;
任泽阳 .
中国专利 :CN119767777A ,2025-04-04
[4]
柔性类CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
江潮 ;
彭朝晗 ;
蔡小勇 .
中国专利 :CN113193001A ,2021-07-30
[5]
一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
王玮 ;
梁月松 ;
陈根强 ;
牛田林 ;
王艳丰 ;
林芳 ;
张明辉 ;
问峰 ;
王宏兴 .
中国专利 :CN119133182A ,2024-12-13
[6]
一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
王玮 ;
梁月松 ;
陈根强 ;
牛田林 ;
王艳丰 ;
林芳 ;
张明辉 ;
问峰 ;
王宏兴 .
中国专利 :CN119133182B ,2025-12-02
[7]
反相器及其制备方法 [P]. 
江潮 ;
李默林 ;
王嘉玮 .
中国专利 :CN107768519A ,2018-03-06
[8]
CMOS反相器及应用该CMOS反相器的电子装置 [P]. 
江志雄 .
中国专利 :CN106330174A ,2017-01-11
[9]
薄膜晶体管及其制备方法、CMOS反相器 [P]. 
谢华飞 ;
陈书志 ;
李佳育 .
中国专利 :CN111106242A ,2020-05-05
[10]
一种单片集成GaN CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
袁梦强 ;
胡雨清 ;
樊昱彤 ;
冯欣 ;
吴银河 ;
刘志宏 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119008629A ,2024-11-22
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