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一种单片集成GaN CMOS反相器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411073227.9
申请日：
2024-08-06
公开(公告)号：
CN119008629A
公开(公告)日：
2024-11-22
发明(设计)人：
张苇杭 袁梦强 胡雨清 樊昱彤 冯欣 吴银河 刘志宏 张进成 郝跃
申请人：
西安电子科技大学 西安电子科技大学广州研究院
申请人地址：
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号：
H01L27/092
IPC分类号：
H01L29/417 H01L21/8238
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
勾慧敏
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-10 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/092申请日:20240806
2024-11-22 公开 公开
共 50 条
[1]
一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
刘茜 ;
张进成 ;
黄韧 ;
樊昱彤 ;
赵胜雷 ;
刘志宏 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114725094A ,2022-07-08
[2]
一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
刘茜 ;
张进成 ;
黄韧 ;
樊昱彤 ;
赵胜雷 ;
刘志宏 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114725094B ,2024-04-30
[3]
基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
樊昱彤 ;
张进成 ;
刘茜 ;
付李煜 ;
黄韧 ;
许国富 ;
文钰 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114420742B ,2025-10-03
[4]
基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
樊昱彤 ;
张进成 ;
刘茜 ;
付李煜 ;
黄韧 ;
许国富 ;
文钰 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114420742A ,2022-04-29
[5]
一种GaN基反相器及其制备方法 [P]. 
于洪宇 ;
杜方洲 ;
汪青 ;
文康尧 ;
蒋洋 ;
唐楚滢 ;
张一 ;
邓宸凯 .
中国专利 :CN117766580A ,2024-03-26
[6]
一种GaN基反相器及其制备方法 [P]. 
于洪宇 ;
杜方洲 ;
汪青 ;
文康尧 ;
蒋洋 ;
唐楚滢 ;
张一 ;
邓宸凯 .
中国专利 :CN117766580B ,2025-10-03
[7]
一种与GaN HEMT电力电子器件单片集成的CMOS反相器及制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
王泽宇 ;
张进成 ;
朱肖肖 ;
宋昆璐 ;
赵胜雷 ;
周弘 ;
张苇杭 ;
段小玲 ;
郝跃 .
中国专利 :CN112185959A ,2021-01-05
[8]
一种与GaN HEMT电力电子器件单片集成的CMOS反相器及制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
王泽宇 ;
张进成 ;
朱肖肖 ;
宋昆璐 ;
赵胜雷 ;
周弘 ;
张苇杭 ;
段小玲 ;
郝跃 .
中国专利 :CN112185959B ,2024-03-29
[9]
柔性类CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
江潮 ;
彭朝晗 ;
蔡小勇 .
中国专利 :CN113193001A ,2021-07-30
[10]
一种CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
韩江丽 ;
荣欣 ;
段炼 ;
董桂芳 .
中国专利 :CN115394801A ,2022-11-25
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