学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种GaN基反相器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311604037.0
申请日：
2023-11-28
公开(公告)号：
CN117766580B
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
于洪宇 杜方洲 汪青 文康尧 蒋洋 唐楚滢 张一 邓宸凯
申请人：
南方科技大学
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D62/10 H10D30/01
代理机构：
深圳叁众知识产权代理事务所(普通合伙) 44434
代理人：
董杨
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
山东省 青岛市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-04-12 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20231128
2024-03-26 公开 公开
2025-10-03 授权 授权
共 50 条
[1]
一种GaN基反相器及其制备方法 [P]. 
于洪宇 ;
杜方洲 ;
汪青 ;
文康尧 ;
蒋洋 ;
唐楚滢 ;
张一 ;
邓宸凯 .
中国专利 :CN117766580A ,2024-03-26
[2]
一种单片集成GaN CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
袁梦强 ;
胡雨清 ;
樊昱彤 ;
冯欣 ;
吴银河 ;
刘志宏 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119008629A ,2024-11-22
[3]
基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
樊昱彤 ;
张进成 ;
刘茜 ;
付李煜 ;
黄韧 ;
许国富 ;
文钰 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114420742A ,2022-04-29
[4]
基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
樊昱彤 ;
张进成 ;
刘茜 ;
付李煜 ;
黄韧 ;
许国富 ;
文钰 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114420742B ,2025-10-03
[5]
一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
刘茜 ;
张进成 ;
黄韧 ;
樊昱彤 ;
赵胜雷 ;
刘志宏 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114725094A ,2022-07-08
[6]
一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
刘茜 ;
张进成 ;
黄韧 ;
樊昱彤 ;
赵胜雷 ;
刘志宏 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114725094B ,2024-04-30
[7]
一种SiC MOSFET反相器结构及其制备方法 [P]. 
杨雄 ;
罗东向 ;
张梦龙 .
中国专利 :CN118366996A ,2024-07-19
[8]
反相器及其制作方法 [P]. 
竺立强 ;
晁晋予 ;
肖惠 .
中国专利 :CN107644878A ,2018-01-30
[9]
反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路 [P]. 
金尚煜 ;
宋利宪 ;
金昌桢 ;
朴宰彻 ;
金善日 .
中国专利 :CN101714870A ,2010-05-26
[10]
GaN基超薄势垒增强模式反相器、环振及其制作方法 [P]. 
全思 ;
谷文萍 ;
李演明 ;
文常保 ;
谢元斌 ;
巨永锋 ;
郝跃 .
中国专利 :CN103872044A ,2014-06-18
12345