基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111300410.4

申请日：

2021-11-04

公开(公告)号：

CN114420742B

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

张苇杭樊昱彤张进成刘茜付李煜黄韧许国富文钰郝跃张晓东

申请人：

西安电子科技大学广州研究院

申请人地址：

510000 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/80 H10D62/824 H10D30/01

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	授权	授权

共 50 条

[1]

基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法 [P].

张苇杭 ;

樊昱彤 ;

张进成 ;

刘茜 ;

付李煜 ;

黄韧 ;

许国富 ;

文钰 ;

郝跃 ;

张晓东 .

中国专利 :CN114420742A ,2022-04-29

[2]

一种单片集成GaN CMOS反相器及其制备方法 [P].

张苇杭 ;

袁梦强 ;

胡雨清 ;

樊昱彤 ;

冯欣 ;

吴银河 ;

刘志宏 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119008629A ,2024-11-22

[3]

一种GaN基反相器及其制备方法 [P].

于洪宇 ;

杜方洲 ;

汪青 ;

文康尧 ;

蒋洋 ;

唐楚滢 ;

张一 ;

邓宸凯 .

中国专利 :CN117766580A ,2024-03-26

[4]

一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法 [P].

张苇杭 ;

刘茜 ;

张进成 ;

黄韧 ;

樊昱彤 ;

赵胜雷 ;

刘志宏 ;

郝跃 ;

张晓东 .

中国专利 :CN114725094A ,2022-07-08

[5]

一种GaN基反相器及其制备方法 [P].

于洪宇 ;

杜方洲 ;

汪青 ;

文康尧 ;

蒋洋 ;

唐楚滢 ;

张一 ;

邓宸凯 .

中国专利 :CN117766580B ,2025-10-03

[6]

一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法 [P].

张苇杭 ;

刘茜 ;

张进成 ;

黄韧 ;

樊昱彤 ;

赵胜雷 ;

刘志宏 ;

郝跃 ;

张晓东 .

中国专利 :CN114725094B ,2024-04-30

[7]

增强型和耗尽型AlGaN/GaN HFET的单片集成 [P].

陈敬 ;

蔡勇 ;

刘纪美 .

中国专利 :CN101405868A ,2009-04-08

[8]

耗尽型与增强型GaN单片集成器件 [P].

康剑 ;

任炜强 .

中国专利 :CN222928735U ,2025-05-30

[9]

GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件 [P].

刘新宇 ;

康玄武 ;

王鑫华 ;

黄森 ;

魏珂 .

中国专利 :CN106206295A ,2016-12-07

[10]

基于GaN-HEMT的增强型器件的制备方法 [P].

陈丽香 ;

孙云飞 ;

阙妙玲 ;

孙佳惟 ;

李涛 ;

吴靖 .

中国专利 :CN113809151A ,2021-12-17

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