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一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210096697.1
申请日：
2022-01-26
公开(公告)号：
CN114725094B
公开(公告)日：
2024-04-30
发明(设计)人：
张苇杭 刘茜 张进成 黄韧 樊昱彤 赵胜雷 刘志宏 郝跃 张晓东
申请人：
西安电子科技大学广州研究院
申请人地址：
510000 广东省广州市黄埔区中新知识城海丝中心B5、B6、B7栋
IPC主分类号：
H01L27/092
IPC分类号：
H01L21/8258
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
刘长春
法律状态：
授权
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-04-30 授权 授权
共 50 条
[1]
一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
刘茜 ;
张进成 ;
黄韧 ;
樊昱彤 ;
赵胜雷 ;
刘志宏 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114725094A ,2022-07-08
[2]
一种单片集成GaN CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
袁梦强 ;
胡雨清 ;
樊昱彤 ;
冯欣 ;
吴银河 ;
刘志宏 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119008629A ,2024-11-22
[3]
一种Si CMOS逻辑器件与GaN电力电子器件单片异质集成电路及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
刘茜 ;
张进成 ;
黄韧 ;
樊昱彤 ;
赵胜雷 ;
刘志宏 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114725093A ,2022-07-08
[4]
一种Si CMOS逻辑器件与GaN电力电子器件单片异质集成电路及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
刘茜 ;
张进成 ;
黄韧 ;
樊昱彤 ;
赵胜雷 ;
刘志宏 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114725093B ,2024-04-16
[5]
基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
樊昱彤 ;
张进成 ;
刘茜 ;
付李煜 ;
黄韧 ;
许国富 ;
文钰 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114420742B ,2025-10-03
[6]
基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
樊昱彤 ;
张进成 ;
刘茜 ;
付李煜 ;
黄韧 ;
许国富 ;
文钰 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114420742A ,2022-04-29
[7]
一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
董明辉 ;
董高峰 ;
周瑾 ;
杜航海 ;
邢伟川 ;
陈兴 ;
王东 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119855222B ,2025-09-26
[8]
一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
董明辉 ;
董高峰 ;
周瑾 ;
杜航海 ;
邢伟川 ;
陈兴 ;
王东 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119855222A ,2025-04-18
[9]
一种GaN基反相器及其制备方法 [P]. 
于洪宇 ;
杜方洲 ;
汪青 ;
文康尧 ;
蒋洋 ;
唐楚滢 ;
张一 ;
邓宸凯 .
中国专利 :CN117766580A ,2024-03-26
[10]
一种GaN基反相器及其制备方法 [P]. 
于洪宇 ;
杜方洲 ;
汪青 ;
文康尧 ;
蒋洋 ;
唐楚滢 ;
张一 ;
邓宸凯 .
中国专利 :CN117766580B ,2025-10-03
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