学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411640973.1
申请日：
2024-11-18
公开(公告)号：
CN119855222B
公开(公告)日：
2025-09-26
发明(设计)人：
刘志宏 董明辉 董高峰 周瑾 杜航海 邢伟川 陈兴 王东 张进成 郝跃
申请人：
西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学
申请人地址：
510555 广东省广州市黄埔区中新广州知识城知明路83号
IPC主分类号：
H10D84/40
IPC分类号：
H10D84/05 H10D30/47 H10D62/83 H10D62/85 H10D30/60 H10D84/03 H03K19/00
代理机构：
深圳科润知识产权代理事务所(普通合伙) 44724
代理人：
刘强强
法律状态：
授权
国省代码：
陕西省 西安市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-26 授权 授权
2025-05-06 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/40申请日:20241118
2025-04-18 公开 公开
共 50 条
[1]
一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
董明辉 ;
董高峰 ;
周瑾 ;
杜航海 ;
邢伟川 ;
陈兴 ;
王东 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119855222A ,2025-04-18
[2]
一种氮化镓LED与锗PD单片异质集成结构及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
董明辉 ;
董高峰 ;
周瑾 ;
杜航海 ;
邢伟川 ;
陈兴 ;
王东 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789561A ,2025-04-08
[3]
低寄生氮化镓基反相器及其制备方法 [P]. 
程哲 ;
张韵 .
中国专利 :CN120692917A ,2025-09-23
[4]
一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
刘茜 ;
张进成 ;
黄韧 ;
樊昱彤 ;
赵胜雷 ;
刘志宏 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114725094A ,2022-07-08
[5]
一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
刘茜 ;
张进成 ;
黄韧 ;
樊昱彤 ;
赵胜雷 ;
刘志宏 ;
郝跃 ;
张晓东 .
中国专利 :CN114725094B ,2024-04-30
[6]
立体氮化镓基CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
刘新科 ;
林锦沛 ;
黄烨莹 ;
蒋忠伟 ;
黎晓华 .
中国专利 :CN118412354B ,2025-05-23
[7]
立体氮化镓基COMS反相器及其制备方法 [P]. 
刘新科 ;
林锦沛 ;
黄烨莹 ;
蒋忠伟 ;
黎晓华 .
中国专利 :CN118412354A ,2024-07-30
[8]
有机互补反相器及其制备方法 [P]. 
王军 ;
朱庆平 ;
刘昌和 ;
胡玉磊 ;
刘娜 .
中国专利 :CN102544051A ,2012-07-04
[9]
一种单片集成GaN CMOS反相器及其制备方法 [P]. 
张苇杭 ;
袁梦强 ;
胡雨清 ;
樊昱彤 ;
冯欣 ;
吴银河 ;
刘志宏 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119008629A ,2024-11-22
[10]
反相器及其制备方法 [P]. 
霍文星 ;
方成龙 ;
黄显 .
中国专利 :CN118610214A ,2024-09-06
12345