立体氮化镓基CMOS反相器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410197161.8

申请日：

2024-02-21

公开(公告)号：

CN118412354B

公开(公告)日：

2025-05-23

发明(设计)人：

刘新科林锦沛黄烨莹蒋忠伟黎晓华

申请人：

深圳大学

申请人地址：

518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

IPC主分类号：

H10D84/05

IPC分类号：

H01L23/528 H01L23/367 H10D84/85 H10D89/10 H10D62/10

代理机构：

深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312

代理人：

钟连发

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省佛山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/092申请日:20240221
2025-05-23	授权	授权
2024-07-30	公开	公开

共 50 条

[1]

立体氮化镓基COMS反相器及其制备方法 [P].

刘新科 ;

林锦沛 ;

黄烨莹 ;

蒋忠伟 ;

黎晓华 .

中国专利 :CN118412354A ,2024-07-30

[2]

低寄生氮化镓基反相器及其制备方法 [P].

程哲 ;

张韵 .

中国专利 :CN120692917A ,2025-09-23

[3]

氮化镓基反相器芯片及其形成方法 [P].

刘春雪 ;

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

李晨 .

中国专利 :CN106910770A ,2017-06-30

[4]

CMOS反相器 [P].

林爱梅 ;

吕瑞霖 ;

王鹢奇 .

中国专利 :CN104733458B ,2015-06-24

[5]

CMOS反相器 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN110379808A ,2019-10-25

[6]

柔性类CMOS反相器及其制备方法 [P].

江潮 ;

彭朝晗 ;

蔡小勇 .

中国专利 :CN113193001A ,2021-07-30

[7]

一种CMOS反相器及其制备方法 [P].

韩江丽 ;

荣欣 ;

段炼 ;

董桂芳 .

中国专利 :CN115394801A ,2022-11-25

[8]

立体氮化镓基高集成HEMT及其制备方法 [P].

刘新科 ;

杨永凯 ;

黄烨莹 ;

蒋忠伟 ;

黎晓华 .

中国专利 :CN118263248A ,2024-06-28

[9]

CMOS器件和CMOS反相器 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101312194A ,2008-11-26

[10]

一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法 [P].

王玮 ;

梁月松 ;

陈根强 ;

牛田林 ;

王艳丰 ;

林芳 ;

张明辉 ;

问峰 ;

王宏兴 .

中国专利 :CN119133182A ,2024-12-13

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