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一种氮化镓LED与锗PD单片异质集成结构及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411731233.9
申请日：
2024-11-29
公开(公告)号：
CN119789561A
公开(公告)日：
2025-04-08
发明(设计)人：
刘志宏 董明辉 董高峰 周瑾 杜航海 邢伟川 陈兴 王东 张进成 郝跃
申请人：
西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学
申请人地址：
510555 广东省广州市黄埔区中新广州知识城知明路83号
IPC主分类号：
H10F55/00
IPC分类号：
H10F77/122 H10F30/227 H10F71/00 H10H20/01 H10H20/812 H10H20/815 H10H20/825
代理机构：
深圳科润知识产权代理事务所(普通合伙) 44724
代理人：
刘强强
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 55/00申请日:20241129
2025-04-08 公开 公开
共 50 条
[1]
一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
董明辉 ;
董高峰 ;
周瑾 ;
杜航海 ;
邢伟川 ;
陈兴 ;
王东 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119855222A ,2025-04-18
[2]
一种氮化镓与锗单片异质集成互补反相器及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
董明辉 ;
董高峰 ;
周瑾 ;
杜航海 ;
邢伟川 ;
陈兴 ;
王东 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119855222B ,2025-09-26
[3]
一种氮化镓/黑磷异质结构及其制备方法与应用 [P]. 
马淑芳 ;
王嘉惠 ;
马琦衡 ;
刘孜妍 ;
韩诗佳 ;
许并社 .
中国专利 :CN120358828A ,2025-07-22
[4]
氧化镓/氮化镓异质结双紫外波段探测器及其制备方法 [P]. 
施政 ;
高翔 ;
高绪敏 .
中国专利 :CN118352425B ,2024-09-20
[5]
氧化镓/氮化镓异质结双紫外波段探测器及其制备方法 [P]. 
施政 ;
高翔 ;
高绪敏 .
中国专利 :CN118352425A ,2024-07-16
[6]
一种氮化镓和砷化镓侧向单片异质集成射频芯片及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
罗诗文 ;
周瑾 ;
危虎 ;
杜航海 ;
邢伟川 ;
张苇杭 ;
周弘 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789510A ,2025-04-08
[7]
一种高In组分氮化镓基LED外延结构、器件及其制备方法 [P]. 
庄喆 ;
张琪 ;
桑艺萌 ;
陶涛 ;
刘斌 .
中国专利 :CN120302779A ,2025-07-11
[8]
一种耐受功率氮化镓HEMT器件结构及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
索淑怡 ;
惠安特 ;
魏宇君 ;
周瑾 ;
冯欣 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN121038314A ,2025-11-28
[9]
氮化镓异质外延结构及其制备方法 [P]. 
徐爽 ;
潘磊 .
中国专利 :CN121218665A ,2025-12-26
[10]
一种多孔氧化镓/氮化镓异质结及其制备方法和应用 [P]. 
贾伟 ;
任恒磊 ;
贾凯达 ;
翟光美 ;
董海亮 ;
许并社 .
中国专利 :CN117457497A ,2024-01-26
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