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一种氮化镓和砷化镓侧向单片异质集成射频芯片及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411650458.1
申请日：
2024-11-19
公开(公告)号：
CN119789510A
公开(公告)日：
2025-04-08
发明(设计)人：
刘志宏 罗诗文 周瑾 危虎 杜航海 邢伟川 张苇杭 周弘 张进成 郝跃
申请人：
西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学
申请人地址：
510555 广东省广州市黄埔区中新广州知识城知明路83号
IPC主分类号：
H10D84/82
IPC分类号：
H10D84/05 H10D62/824
代理机构：
广东广盛知识产权代理事务所(普通合伙) 441214
代理人：
卓邦荣
法律状态：
公开
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-08 公开 公开
2025-04-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/82申请日:20241119
共 50 条
[1]
一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
罗诗文 ;
周瑾 ;
危虎 ;
杜航海 ;
邢伟川 ;
张苇杭 ;
周弘 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789509B ,2025-10-17
[2]
一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
罗诗文 ;
周瑾 ;
危虎 ;
杜航海 ;
邢伟川 ;
张苇杭 ;
周弘 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789509A ,2025-04-08
[3]
一种单片集成氮化镓芯片 [P]. 
傅玥 ;
孔令涛 .
中国专利 :CN216490435U ,2022-05-10
[4]
用于制备氮化镓射频器件的衬底及其制备方法、氮化镓射频器件 [P]. 
袁卫华 ;
程文进 ;
孙勇 ;
徐松 ;
罗才旺 ;
彭立波 ;
曹华翔 ;
罗南安 .
中国专利 :CN112713082A ,2021-04-27
[5]
一种氮化镓LED与锗PD单片异质集成结构及其制备方法 [P]. 
刘志宏 ;
董明辉 ;
董高峰 ;
周瑾 ;
杜航海 ;
邢伟川 ;
陈兴 ;
王东 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119789561A ,2025-04-08
[6]
氮化镓LED制备方法、氮化镓LED和芯片 [P]. 
蔡武 ;
郑远志 ;
周德保 ;
杨东 ;
陈向东 ;
康建 ;
梁旭东 .
中国专利 :CN103794687B ,2014-05-14
[7]
一种氮化镓晶体管和砷化镓VCSEL异质三维集成器件结构和制作方法 [P]. 
刘志宏 ;
罗诗文 ;
周瑾 ;
危虎 ;
杜航海 ;
冯欣 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119852846A ,2025-04-18
[8]
一种氮化镓晶体管和砷化镓VCSEL异质三维集成器件结构和制作方法 [P]. 
刘志宏 ;
罗诗文 ;
周瑾 ;
危虎 ;
杜航海 ;
冯欣 ;
邢伟川 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN119852846B ,2025-10-17
[9]
硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构及方法 [P]. 
刘子玉 ;
楼其村 ;
张卫 ;
孙清清 ;
陈琳 .
中国专利 :CN120568827A ,2025-08-29
[10]
氮化镓芯片及其制备方法 [P]. 
裴风丽 .
中国专利 :CN106299071A ,2017-01-04
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