硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510484848.4

申请日：

2025-04-17

公开(公告)号：

CN120568827A

公开(公告)日：

2025-08-29

发明(设计)人：

刘子玉楼其村张卫孙清清陈琳

申请人：

复旦大学嘉善复旦研究院

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H10D80/20

IPC分类号：

H10D62/83 H10D62/85 H01L23/488 H01L21/60 H05K1/11 H05K1/18 H05K3/34

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

宋艳

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-29	公开	公开
2025-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 80/20申请日:20250417

共 50 条

[1]

一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法 [P].

刘志宏 ;

罗诗文 ;

周瑾 ;

危虎 ;

杜航海 ;

邢伟川 ;

张苇杭 ;

周弘 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789509B ,2025-10-17

[2]

一种氮化镓和砷化镓三维异质集成射频芯片及其制备方法 [P].

刘志宏 ;

罗诗文 ;

周瑾 ;

危虎 ;

杜航海 ;

邢伟川 ;

张苇杭 ;

周弘 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789509A ,2025-04-08

[3]

砷化镓基LED芯片结构 [P].

江树昌 ;

陈光明 ;

张健凌 ;

张绍甫 .

中国专利 :CN216698408U ,2022-06-07

[4]

一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法 [P].

张鹏 ;

耿雪其 ;

王成迁 .

中国专利 :CN114267662B ,2024-11-19

[5]

一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法 [P].

张鹏 ;

耿雪其 ;

王成迁 .

中国专利 :CN114267662A ,2022-04-01

[6]

一种氮化镓和砷化镓侧向单片异质集成射频芯片及其制备方法 [P].

刘志宏 ;

罗诗文 ;

周瑾 ;

危虎 ;

杜航海 ;

邢伟川 ;

张苇杭 ;

周弘 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789510A ,2025-04-08

[7]

制备硅基砷化镓材料的方法 [P].

周旭亮 ;

于红艳 ;

张心 ;

潘教青 ;

王圩 .

中国专利 :CN102534768B ,2012-07-04

[8]

一种基于树脂基的砷化镓射频芯片扇出封装方法 [P].

耿雪其 ;

张鹏 ;

夏鹏程 ;

王成迁 .

中国专利 :CN119230421B ,2025-04-11

[9]

一种基于树脂基的砷化镓射频芯片扇出封装方法 [P].

耿雪其 ;

张鹏 ;

夏鹏程 ;

王成迁 .

中国专利 :CN119230421A ,2024-12-31

[10]

形成砷化镓基光伏器件的方法和砷化镓基光伏器件 [P].

H·聂 ;

B·M·卡耶斯 ;

I·C·凯兹亚力 .

中国专利 :CN102683479B ,2012-09-19

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