一种基于树脂基的砷化镓射频芯片扇出封装方法

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专利类型
发明
申请号
CN202411745076.7
申请日
2024-12-02
公开(公告)号
CN119230421B
公开(公告)日
2025-04-11
发明(设计)人
耿雪其 张鹏 夏鹏程 王成迁
申请人
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址
214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
IPC主分类号
H01L21/48
IPC分类号
H01L21/683 H01L23/373 H01L23/498
代理机构
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340
代理人
杨立秋
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种基于树脂基的砷化镓射频芯片扇出封装方法 [P]. 
耿雪其 ;
张鹏 ;
夏鹏程 ;
王成迁 .
中国专利 :CN119230421A ,2024-12-31
[2]
一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法 [P]. 
张鹏 ;
耿雪其 ;
王成迁 .
中国专利 :CN114267662B ,2024-11-19
[3]
一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法 [P]. 
张鹏 ;
耿雪其 ;
王成迁 .
中国专利 :CN114267662A ,2022-04-01
[4]
基于硅基的射频芯片的扇出封装结构 [P]. 
刘逸寒 ;
戴飞虎 ;
王成迁 .
中国专利 :CN218241832U ,2023-01-06
[5]
砷化镓系统级扇出封装方法及其结构 [P]. 
张胜男 ;
徐晨龙 ;
张奎 ;
朱晓 ;
童媛 .
中国专利 :CN119314882B ,2025-04-11
[6]
砷化镓系统级扇出封装方法及其结构 [P]. 
张胜男 ;
徐晨龙 ;
张奎 ;
朱晓 ;
童媛 .
中国专利 :CN119314882A ,2025-01-14
[7]
一种基于树脂基的高功率芯片的扇出封装结构 [P]. 
刘逸寒 ;
戴飞虎 ;
王成迁 .
中国专利 :CN220491873U ,2024-02-13
[8]
一种去除砷化镓芯片封装的方法 [P]. 
尚跃 ;
陈建 ;
贾丽娟 .
中国专利 :CN114864437A ,2022-08-05
[9]
一种砷化镓芯片的封装结构 [P]. 
江树昌 ;
陈光明 ;
张健凌 ;
张绍甫 .
中国专利 :CN216958004U ,2022-07-12
[10]
一种砷化镓基芯片的激光切割方法 [P]. 
潘棋 ;
张冰 ;
赵晖 ;
杨彬 .
中国专利 :CN117483972A ,2024-02-02