基于硅基的射频芯片的扇出封装结构

被引：0

申请号：

CN202221951282.X

申请日：

2022-07-27

公开(公告)号：

CN218241832U

公开(公告)日：

2023-01-06

发明(设计)人：

刘逸寒戴飞虎王成迁

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市惠山区惠州大道900号（城铁惠山站区）

IPC主分类号：

H01L2348

IPC分类号：

H01L23488 H01L2331

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

殷红梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法 [P].

张鹏 ;

耿雪其 ;

王成迁 .

中国专利 :CN114267662A ,2022-04-01

[2]

一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法 [P].

张鹏 ;

耿雪其 ;

王成迁 .

中国专利 :CN114267662B ,2024-11-19

[3]

一种基于树脂基的砷化镓射频芯片扇出封装方法 [P].

耿雪其 ;

张鹏 ;

夏鹏程 ;

王成迁 .

中国专利 :CN119230421A ,2024-12-31

[4]

一种基于树脂基的砷化镓射频芯片扇出封装方法 [P].

耿雪其 ;

张鹏 ;

夏鹏程 ;

王成迁 .

中国专利 :CN119230421B ,2025-04-11

[5]

芯片嵌入硅基式扇出型封装结构 [P].

于大全 ;

邹益朝 ;

黄真瑞 .

中国专利 :CN206558495U ,2017-10-13

[6]

芯片的扇出封装结构 [P].

王之奇 ;

胡津津 .

中国专利 :CN211320091U ,2020-08-21

[7]

基于射频芯片的立体封装结构 [P].

颜军 ;

陈像 ;

颜志宇 ;

占连样 ;

王烈洋 ;

龚永红 ;

蒲光明 ;

陈伙立 ;

骆征兵 .

中国专利 :CN213546318U ,2021-06-25

[8]

一种基于树脂基的高功率芯片的扇出封装结构 [P].

刘逸寒 ;

戴飞虎 ;

王成迁 .

中国专利 :CN220491873U ,2024-02-13

[9]

集成散热结构的硅基扇出型封装 [P].

王腾 .

中国专利 :CN207752991U ,2018-08-21

[10]

芯片的扇出型封装结构 [P].

孙鹏 ;

任玉龙 .

中国专利 :CN209374442U ,2019-09-10

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