一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111473559.2

申请日：

2021-11-29

公开(公告)号：

CN114267662B

公开(公告)日：

2024-11-19

发明(设计)人：

张鹏耿雪其王成迁

申请人：

中国电子科技集团公司第五十八研究所

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

IPC主分类号：

H01L23/538

IPC分类号：

H01L23/498 H01L25/07 H01L21/768 H01L21/60

代理机构：

无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340

代理人：

叶昕;杨立秋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于硅基的砷化镓射频芯片封装结构及其制备方法 [P].

张鹏 ;

耿雪其 ;

王成迁 .

中国专利 :CN114267662A ,2022-04-01

[2]

一种基于树脂基的砷化镓射频芯片扇出封装方法 [P].

耿雪其 ;

张鹏 ;

夏鹏程 ;

王成迁 .

中国专利 :CN119230421B ,2025-04-11

[3]

一种基于树脂基的砷化镓射频芯片扇出封装方法 [P].

耿雪其 ;

张鹏 ;

夏鹏程 ;

王成迁 .

中国专利 :CN119230421A ,2024-12-31

[4]

基于硅基的射频芯片的扇出封装结构 [P].

刘逸寒 ;

戴飞虎 ;

王成迁 .

中国专利 :CN218241832U ,2023-01-06

[5]

硅基和砷化镓基射频芯片的三维异质集成结构及方法 [P].

刘子玉 ;

楼其村 ;

张卫 ;

孙清清 ;

陈琳 .

中国专利 :CN120568827A ,2025-08-29

[6]

一种砷化镓芯片的封装结构 [P].

江树昌 ;

陈光明 ;

张健凌 ;

张绍甫 .

中国专利 :CN216958004U ,2022-07-12

[7]

制备硅基砷化镓材料的方法 [P].

周旭亮 ;

于红艳 ;

张心 ;

潘教青 ;

王圩 .

中国专利 :CN102534768B ,2012-07-04

[8]

一种砷化镓基LED芯片及其制备方法 [P].

徐晓强 ;

程昌辉 ;

张兆喜 ;

王梦雪 ;

闫宝华 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN112582510A ,2021-03-30

[9]

砷化镓基LED芯片结构 [P].

江树昌 ;

陈光明 ;

张健凌 ;

张绍甫 .

中国专利 :CN216698408U ,2022-06-07

[10]

一种氮化镓和砷化镓侧向单片异质集成射频芯片及其制备方法 [P].

刘志宏 ;

罗诗文 ;

周瑾 ;

危虎 ;

杜航海 ;

邢伟川 ;

张苇杭 ;

周弘 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119789510A ,2025-04-08

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