砷化镓基LED芯片结构

被引：0

申请号：

CN202123265109.2

申请日：

2021-12-23

公开(公告)号：

CN216698408U

公开(公告)日：

2022-06-07

发明(设计)人：

江树昌陈光明张健凌张绍甫

申请人：

申请人地址：

355100 福建省宁德市霞浦县经济开发区工业北路2号

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

代理机构：

东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251

代理人：

刘汉民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-07	授权	授权

共 50 条

[1]

砷化镓电池芯片结构 [P].

江树昌 ;

陈光明 ;

张健凌 ;

张绍甫 .

中国专利 :CN216531222U ,2022-05-13

[2]

砷化镓摄像芯片 [P].

程治国 ;

王良 .

中国专利 :CN205542784U ,2016-08-31

[3]

一种砷化镓基LED芯片及其制备方法 [P].

徐晓强 ;

程昌辉 ;

张兆喜 ;

王梦雪 ;

闫宝华 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN112582510A ,2021-03-30

[4]

砷化镓电池芯片 [P].

马传奇 ;

林瑞阳 .

中国专利 :CN208655669U ,2019-03-26

[5]

一种砷化镓系LED外延结构及LED芯片 [P].

陈睿民 ;

彭贤春 ;

晏雨发 ;

辛天姣 ;

徐晶 ;

张阿芹 ;

朱万祥 ;

韩效亚 ;

马英杰 ;

赵鹏 .

中国专利 :CN119300566A ,2025-01-10

[6]

一种砷化镓基LED芯片的制作方法 [P].

彭璐 ;

张兆喜 .

中国专利 :CN112750921B ,2021-05-04

[7]

砷化镓芯片的背面金属结构 [P].

周泽阳 ;

魏鸿基 ;

王江 ;

朱庆芳 ;

吴小琦 .

中国专利 :CN206546818U ,2017-10-10

[8]

一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法 [P].

彭璐 ;

郑军 ;

齐国建 .

中国专利 :CN112820659B ,2021-05-18

[9]

一种砷化镓芯片的封装结构 [P].

江树昌 ;

陈光明 ;

张健凌 ;

张绍甫 .

中国专利 :CN216958004U ,2022-07-12

[10]

砷化镓电池外延结构 [P].

罗轶 .

中国专利 :CN208904030U ,2019-05-24

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