一种砷化镓基LED芯片的半切测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911116489.8

申请日：

2019-11-15

公开(公告)号：

CN112820659B

公开(公告)日：

2021-05-18

发明(设计)人：

彭璐郑军齐国建

申请人：

申请人地址：

261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L3300 H01L3348 H01L3362

代理机构：

济南诚智商标专利事务所有限公司 37105

代理人：

黄晓燕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20191115
2022-09-16	授权	授权
2021-05-18	公开	公开

共 50 条

[1]

砷化镓基LED芯片结构 [P].

江树昌 ;

陈光明 ;

张健凌 ;

张绍甫 .

中国专利 :CN216698408U ,2022-06-07

[2]

一种砷化镓基LED芯片及其制备方法 [P].

徐晓强 ;

程昌辉 ;

张兆喜 ;

王梦雪 ;

闫宝华 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN112582510A ,2021-03-30

[3]

一种砷化镓基LED芯片的制作方法 [P].

彭璐 ;

张兆喜 .

中国专利 :CN112750921B ,2021-05-04

[4]

一种砷化镓基LED芯片透明导电层测试点的制备方法 [P].

徐晓强 ;

程昌辉 ;

吴向龙 ;

闫宝华 ;

王成新 .

中国专利 :CN114807840A ,2022-07-29

[5]

一种砷化镓芯片安装测试结构和方法 [P].

余夕霞 .

中国专利 :CN117516707B ,2024-05-14

[6]

一种砷化镓芯片安装测试结构和方法 [P].

余夕霞 .

中国专利 :CN117516707A ,2024-02-06

[7]

一种砷化镓基芯片的激光切割方法 [P].

潘棋 ;

张冰 ;

赵晖 ;

杨彬 .

中国专利 :CN117483972A ,2024-02-02

[8]

一种砷化镓系LED外延结构及LED芯片 [P].

陈睿民 ;

彭贤春 ;

晏雨发 ;

辛天姣 ;

徐晶 ;

张阿芹 ;

朱万祥 ;

韩效亚 ;

马英杰 ;

赵鹏 .

中国专利 :CN119300566A ,2025-01-10

[9]

砷化镓芯片开封方法 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈鹏 ;

陈燕宁 ;

董广智 ;

钟明琛 ;

宋彦斌 ;

单书珊 ;

林国栋 ;

李智诚 .

中国专利 :CN114325303B ,2025-02-14

[10]

砷化镓芯片开封方法 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈鹏 ;

陈燕宁 ;

董广智 ;

钟明琛 ;

宋彦斌 ;

单书珊 ;

林国栋 ;

李智诚 .

中国专利 :CN114325303A ,2022-04-12

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