砷化镓摄像芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620065721.5

申请日：

2016-01-22

公开(公告)号：

CN205542784U

公开(公告)日：

2016-08-31

发明(设计)人：

程治国王良

申请人：

申请人地址：

201399 上海市浦东新区沪南路9628号1幢1116室

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H01L2920

代理机构：

上海精晟知识产权代理有限公司 31253

代理人：

冯子玲

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20160122 授权公告日:20160831 终止日期:20170122
2016-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

砷化镓电池芯片 [P].

马传奇 ;

林瑞阳 .

中国专利 :CN208655669U ,2019-03-26

[2]

砷化镓电池芯片结构 [P].

江树昌 ;

陈光明 ;

张健凌 ;

张绍甫 .

中国专利 :CN216531222U ,2022-05-13

[3]

砷化镓基LED芯片结构 [P].

江树昌 ;

陈光明 ;

张健凌 ;

张绍甫 .

中国专利 :CN216698408U ,2022-06-07

[4]

砷化镓芯片开封方法 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈鹏 ;

陈燕宁 ;

董广智 ;

钟明琛 ;

宋彦斌 ;

单书珊 ;

林国栋 ;

李智诚 .

中国专利 :CN114325303B ,2025-02-14

[5]

砷化镓芯片开封方法 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

陈鹏 ;

陈燕宁 ;

董广智 ;

钟明琛 ;

宋彦斌 ;

单书珊 ;

林国栋 ;

李智诚 .

中国专利 :CN114325303A ,2022-04-12

[6]

砷化镓光敏传感器 [P].

程治国 ;

王良 .

中国专利 :CN205488173U ,2016-08-17

[7]

砷化镓芯片去层方法 [P].

高峰 ;

高强 .

中国专利 :CN117747425A ,2024-03-22

[8]

砷化镓芯片的背面金属结构 [P].

周泽阳 ;

魏鸿基 ;

王江 ;

朱庆芳 ;

吴小琦 .

中国专利 :CN206546818U ,2017-10-10

[9]

砷化镓发电模组 [P].

王旭 ;

沈志刚 ;

黄文翼 .

中国专利 :CN202018983U ,2011-10-26

[10]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN110325672A ,2019-10-11

← 1 2 3 4 5 →