砷化镓芯片去层方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311768108.0
申请日
2023-12-20
公开(公告)号
CN117747425A
公开(公告)日
2024-03-22
发明(设计)人
高峰 高强
申请人
上海季丰电子股份有限公司
申请人地址
201199 上海市闵行区友东路258-288号2幢101室
IPC主分类号
H01L21/311
IPC分类号
H01L21/3213 G01N1/32
代理机构
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
高雪莲
法律状态
实质审查的生效
国省代码
上海市 市辖区
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
砷化镓芯片开封方法 [P]. 
赵东艳 ;
王于波 ;
陈鹏 ;
陈燕宁 ;
董广智 ;
钟明琛 ;
宋彦斌 ;
单书珊 ;
林国栋 ;
李智诚 .
中国专利 :CN114325303B ,2025-02-14
[2]
砷化镓芯片开封方法 [P]. 
赵东艳 ;
王于波 ;
陈鹏 ;
陈燕宁 ;
董广智 ;
钟明琛 ;
宋彦斌 ;
单书珊 ;
林国栋 ;
李智诚 .
中国专利 :CN114325303A ,2022-04-12
[3]
砷化镓摄像芯片 [P]. 
程治国 ;
王良 .
中国专利 :CN205542784U ,2016-08-31
[4]
砷化镓电池芯片结构 [P]. 
江树昌 ;
陈光明 ;
张健凌 ;
张绍甫 .
中国专利 :CN216531222U ,2022-05-13
[5]
用于塑封的砷化镓芯片钝化方法 [P]. 
李拂晓 ;
蒋幼泉 ;
徐筏乐 ;
钮利荣 ;
杨乃彬 ;
邵凯 .
中国专利 :CN1152418C ,2001-12-05
[6]
砷化镓电池芯片 [P]. 
马传奇 ;
林瑞阳 .
中国专利 :CN208655669U ,2019-03-26
[7]
一种砷化镓芯片安装测试结构和方法 [P]. 
余夕霞 .
中国专利 :CN117516707B ,2024-05-14
[8]
一种砷化镓芯片安装测试结构和方法 [P]. 
余夕霞 .
中国专利 :CN117516707A ,2024-02-06
[9]
砷化镓芯片激光加工装置及其方法 [P]. 
赵裕兴 ;
程景泉 ;
柯凯 .
中国专利 :CN119141021A ,2024-12-17
[10]
砷化镓基LED芯片结构 [P]. 
江树昌 ;
陈光明 ;
张健凌 ;
张绍甫 .
中国专利 :CN216698408U ,2022-06-07