III族氮化物半导体光元件、外延衬底及III族氮化物半导体发光元件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010501542.9

申请日：

2010-09-30

公开(公告)号：

CN102034910A

公开(公告)日：

2011-04-27

发明(设计)人：

上野昌纪盐谷阳平京野孝史善积祐介

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3300 H01S5343

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101273714863 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2010105015429 申请日:20100930
2011-04-27	公开	公开
2016-02-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727332135 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2010105015429 申请公布日:20110427

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474075B ,2012-05-23

[2]

III族氮化物半导体发光元件及III族氮化物半导体发光元件的制作方法 [P].

米村卓巳 ;

京野孝史 ;

盐谷阳平 .

中国专利 :CN103748749A ,2014-04-23

[3]

III族氮化物半导体光元件、外延衬底 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

京野孝史 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474076B ,2012-05-23

[4]

III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

嵯峨宣弘 ;

德山慎司 ;

住吉和英 ;

京野孝史 ;

片山浩二 ;

滨口达史 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN104576869A ,2015-04-29

[5]

III族氮化物半导体发光元件的制造方法及III族氮化物半导体发光元件 [P].

吉本晋 ;

三桥史典 .

中国专利 :CN103098241A ,2013-05-08

[6]

III族氮化物半导体发光元件 [P].

菊池友 ;

宇田川隆 .

中国专利 :CN101828276B ,2010-09-08

[7]

III族氮化物半导体元件及III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 ;

田才邦彦 ;

中岛博 .

中国专利 :CN103650263A ,2014-03-19

[8]

III族氮化物半导体元件、制造III族氮化物半导体元件的方法及外延基板 [P].

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

善积祐介 ;

西塚幸司 .

中国专利 :CN103190042A ,2013-07-03

[9]

III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102341977B ,2012-02-01

[10]

III族氮化物半导体激光元件、及制作III族氮化物半导体激光元件的方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102763293B ,2012-10-31

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