III族氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880112206.6

申请日：

2008-08-28

公开(公告)号：

CN101828276B

公开(公告)日：

2010-09-08

发明(设计)人：

菊池友宇田川隆

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;陈海红

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-22	授权	授权
2010-09-08	公开	公开
2015-10-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101631639768 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2008801122066 申请日:20080828 授权公告日:20120822 终止日期:20140828
2010-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101010884180 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2008801122066 申请日:20080828

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

瀧哲也 .

中国专利 :CN100490199C ,2007-10-10

[2]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

菊池友 ;

宇田川隆 .

中国专利 :CN101809763A ,2010-08-18

[3]

III族氮化物半导体发光元件的制造方法及III族氮化物半导体发光元件 [P].

吉本晋 ;

三桥史典 .

中国专利 :CN103098241A ,2013-05-08

[4]

III族氮化物半导体发光元件及III族氮化物半导体发光元件的制作方法 [P].

米村卓巳 ;

京野孝史 ;

盐谷阳平 .

中国专利 :CN103748749A ,2014-04-23

[5]

III族氮化物半导体的制造方法、III族氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

横山泰典 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN101925979B ,2010-12-22

[6]

III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

嵯峨宣弘 ;

德山慎司 ;

住吉和英 ;

京野孝史 ;

片山浩二 ;

滨口达史 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN104576869A ,2015-04-29

[7]

Ⅲ族氮化物系半导体发光元件 [P].

上野昌纪 ;

京野孝史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN101330123A ,2008-12-24

[8]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

宇田川隆 .

中国专利 :CN103518266B ,2014-01-15

[9]

Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P].

黃成敏 .

韩国专利 :CN118575287A ,2024-08-30

[10]

制造III族氮化物半导体发光元件的方法 [P].

户谷真悟 ;

出口将士 .

中国专利 :CN102694085B ,2012-09-26

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