一种背面点接触晶体硅太阳能电池及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510915597.7
申请日
2015-12-09
公开(公告)号
CN105470316A
公开(公告)日
2016-04-06
发明(设计)人
孙海平 刘仁中 王海超 张斌
申请人
申请人地址
安徽省合肥市新站综合开发实验区大禹路1288号
IPC主分类号
H01L310216
IPC分类号
H01L3118
代理机构
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人
柏尚春
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池 [P]. 
夏正月 ;
高艳涛 ;
崔会英 ;
钱亮 ;
何锐 ;
张斌 ;
邢国强 .
中国专利 :CN204045602U ,2014-12-24
[2]
背面钝化晶体硅太阳能电池的制备方法 [P]. 
蔡二辉 ;
刘伟 ;
余涛 ;
陈筑 ;
刘晓巍 .
中国专利 :CN102969398A ,2013-03-13
[3]
一种背面点接触太阳能电池的制备方法 [P]. 
夏正月 ;
高艳涛 ;
宫昌萌 ;
何恬 ;
孙珠珠 ;
宋文涛 ;
陈同银 ;
刘仁中 ;
李晓强 ;
董经兵 ;
孟津 ;
陶龙忠 ;
张斌 ;
邢国强 .
中国专利 :CN103022262A ,2013-04-03
[4]
一种高效钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 [P]. 
王尧 ;
何宇 ;
刘成法 ;
陈达明 ;
陈奕峰 ;
邹杨 ;
夏锐 ;
林文杰 ;
袁玲 ;
龚剑 .
中国专利 :CN110190155A ,2019-08-30
[5]
背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法 [P]. 
夏正月 ;
高艳涛 ;
崔会英 ;
钱亮 ;
何锐 ;
张斌 ;
邢国强 .
中国专利 :CN104201217A ,2014-12-10
[6]
形成硅太阳能电池的背面点接触结构的方法 [P]. 
皮特·博登 .
中国专利 :CN101878519B ,2010-11-03
[7]
晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法 [P]. 
张宏 ;
徐晓斌 ;
徐晓宙 ;
杜冲 .
中国专利 :CN105470319A ,2016-04-06
[8]
一种接触钝化晶体硅太阳能电池结构及制备方法 [P]. 
丁建宁 ;
叶枫 ;
袁宁一 ;
王书博 ;
李云鹏 .
中国专利 :CN109346536B ,2019-02-15
[9]
一种晶体硅太阳能电池及其制备方法 [P]. 
邓瑞 ;
关敬波 .
中国专利 :CN104465799B ,2015-03-25
[10]
一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法 [P]. 
鲁伟明 .
中国专利 :CN102969367A ,2013-03-13