背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410461039.3

申请日：

2014-09-12

公开(公告)号：

CN104201217A

公开(公告)日：

2014-12-10

发明(设计)人：

夏正月高艳涛崔会英钱亮何锐张斌邢国强

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市新站区综合开发实验区大禹路1288号

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L31068 H01L3118

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

刘燕娇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594575385 IPC(主分类):H01L 31/0224 专利申请号:2014104610393 申请日:20140912
2017-09-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101758371355 IPC(主分类):H01L 31/0224 专利申请号:2014104610393 申请公布日:20141210
2014-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池 [P].

夏正月 ;

高艳涛 ;

崔会英 ;

钱亮 ;

何锐 ;

张斌 ;

邢国强 .

中国专利 :CN204045602U ,2014-12-24

[2]

PERC晶体硅太阳能电池的背面多层镀膜方法 [P].

白焱辉 ;

李高非 ;

王继磊 ;

付少剑 ;

张娟 ;

黄金 .

中国专利 :CN105845775A ,2016-08-10

[3]

背面接触硅太阳能电池方法及含背面接触的硅太阳能电池 [P].

威蓝·碧斯 ;

哈洛·韩 ;

克利斯汀·史克雷格尔 ;

托尔斯坦·韦柏 ;

马汀·库哲 .

中国专利 :CN102769067A ,2012-11-07

[4]

PERC晶体硅太阳能电池背面电极用导电浆料及制备方法 [P].

陈春锦 .

中国专利 :CN111403079A ,2020-07-10

[5]

形成硅太阳能电池的背面点接触结构的方法 [P].

皮特·博登 .

中国专利 :CN101878519B ,2010-11-03

[6]

PERC晶体硅太阳能电池的制造方法 [P].

白焱辉 ;

李高非 ;

王继磊 ;

付少剑 ;

黄金 ;

张娟 .

中国专利 :CN105914256A ,2016-08-31

[7]

一种背面点接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 [P].

孙海平 ;

刘仁中 ;

王海超 ;

张斌 .

中国专利 :CN105470316A ,2016-04-06

[8]

一种用于PERC晶体硅太阳能电池的背面银浆及其制备方法 [P].

孙倩 ;

黄铭 ;

丁冰冰 .

中国专利 :CN106782759A ,2017-05-31

[9]

一种双面PERC晶体硅太阳能电池的制备方法 [P].

吴翔 .

中国专利 :CN107863419A ,2018-03-30

[10]

晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法 [P].

张宏 ;

徐晓斌 ;

徐晓宙 ;

杜冲 .

中国专利 :CN105470319A ,2016-04-06

← 1 2 3 4 5 →