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一种通过电流诱导产生磁斯格明环的方法及磁性存储器

被引：0
申请号：
CN202210623052.9
申请日：
2022-06-01
公开(公告)号：
CN115035923A
公开(公告)日：
2022-09-09
发明(设计)人：
周艳 赵月雷 杨晟 武凯
申请人：
申请人地址：
518115 广东省深圳市龙岗区龙翔大道2001号
IPC主分类号：
G11C500
IPC分类号：
H01L4304 H01L4306
代理机构：
北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467
代理人：
王欣
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-09 公开 公开
2022-09-30 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 5/00 申请日:20220601
共 50 条
[1]
一种通过电流诱导产生磁斯格明环的方法及磁性存储器 [P]. 
周艳 ;
赵月雷 ;
杨晟 ;
武凯 .
中国专利 :CN115035923B ,2024-12-03
[2]
一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法、磁性存储单元及存储器 [P]. 
周钰卿 ;
周艳 ;
赵月雷 ;
武凯 ;
杨晟 ;
张溪超 .
中国专利 :CN112510146A ,2021-03-16
[3]
一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法、磁性存储单元及存储器 [P]. 
周钰卿 ;
周艳 ;
赵月雷 ;
武凯 ;
杨晟 ;
张溪超 .
中国专利 :CN112510146B ,2025-07-25
[4]
拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器 [P]. 
侯志鹏 ;
卫智健 ;
王亚栋 .
中国专利 :CN113284542A ,2021-08-20
[5]
拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器 [P]. 
侯志鹏 ;
卫智健 ;
王亚栋 .
中国专利 :CN113284542B ,2025-02-18
[6]
一种磁性多层膜、磁性存储单元及存储器 [P]. 
周钰卿 ;
周艳 ;
赵月雷 ;
武凯 ;
杨晟 ;
张溪超 .
中国专利 :CN214705973U ,2021-11-12
[7]
一种磁性存储器的制备方法及磁性存储器 [P]. 
吴云 ;
杨保林 ;
苏显鹏 ;
王海笑 .
中国专利 :CN119816190A ,2025-04-11
[8]
一种基于磁性斯格明子的赛道存储器 [P]. 
汪晨 ;
杨欢欢 ;
王小凡 ;
曹云姗 ;
严鹏 .
中国专利 :CN108492845A ,2018-09-04
[9]
一种基于磁斯格明子的赛道存储器 [P]. 
严鹏 ;
曹云珊 ;
王小凡 ;
王宪思 ;
汪晨 ;
杨欢欢 .
中国专利 :CN109949842A ,2019-06-28
[10]
一种通过电流直接调控铁磁金属磁性的方法 [P]. 
侯仰龙 ;
曾怡 ;
王秋原 ;
叶堉 .
中国专利 :CN113991013A ,2022-01-28
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