一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法、磁性存储单元及存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011372063.1

申请日：

2020-11-30

公开(公告)号：

CN112510146A

公开(公告)日：

2021-03-16

发明(设计)人：

周钰卿周艳赵月雷武凯杨晟张溪超

申请人：

申请人地址：

518115 广东省深圳市龙岗区龙翔大道2001号

IPC主分类号：

H01L4312

IPC分类号：

H01L4302 H01L4310 G11C1116

代理机构：

北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467

代理人：

王欣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	公开	公开
2021-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/12 申请日:20201130

共 50 条

[1]

一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法、磁性存储单元及存储器 [P].

周钰卿 ;

周艳 ;

赵月雷 ;

武凯 ;

杨晟 ;

张溪超 .

中国专利 :CN112510146B ,2025-07-25

[2]

一种磁性多层膜、磁性存储单元及存储器 [P].

周钰卿 ;

周艳 ;

赵月雷 ;

武凯 ;

杨晟 ;

张溪超 .

中国专利 :CN214705973U ,2021-11-12

[3]

一种通过电流诱导产生磁斯格明环的方法及磁性存储器 [P].

周艳 ;

赵月雷 ;

杨晟 ;

武凯 .

中国专利 :CN115035923A ,2022-09-09

[4]

一种通过电流诱导产生磁斯格明环的方法及磁性存储器 [P].

周艳 ;

赵月雷 ;

杨晟 ;

武凯 .

中国专利 :CN115035923B ,2024-12-03

[5]

一种磁性多层膜、存储单元及存储器 [P].

宫俊录 ;

孟凡涛 ;

孙一慧 ;

简红 .

中国专利 :CN114447212A ,2022-05-06

[6]

一种基于磁性斯格明子的赛道存储器 [P].

汪晨 ;

杨欢欢 ;

王小凡 ;

曹云姗 ;

严鹏 .

中国专利 :CN108492845A ,2018-09-04

[7]

基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件 [P].

袁野 ;

王伟 ;

王元 .

中国专利 :CN113285017B ,2021-08-20

[8]

一种磁性随机存储器磁性存储单元 [P].

张云森 ;

郭一民 ;

陈峻 ;

肖荣福 .

中国专利 :CN112086554A ,2020-12-15

[9]

一种磁性随机存储器磁性存储单元 [P].

张云森 ;

郭一民 ;

陈峻 ;

肖荣福 .

中国专利 :CN112086554B ,2024-04-23

[10]

一种磁性存储单元及磁性存储器 [P].

韩谷昌 ;

张恺烨 ;

申力杰 ;

杨晓蕾 ;

刘波 .

中国专利 :CN114694705A ,2022-07-01

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