基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110442700.6

申请日：

2021-04-23

公开(公告)号：

CN113285017B

公开(公告)日：

2021-08-20

发明(设计)人：

袁野王伟王元

申请人：

申请人地址：

210003 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号

IPC主分类号：

H01L4302

IPC分类号：

H01L4310

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

罗运红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-20	公开	公开
2022-08-05	授权	授权
2021-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/02 申请日:20210423

共 50 条

[1]

基于磁性斯格明子的存储器件及该器件存储信息的方法 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

侯智博 ;

周艳 ;

张溪超 ;

李泽芳 .

中国专利 :CN111768806B ,2020-10-13

[2]

磁性斯格明子存储器 [P].

邢国忠 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

赵之昊 .

中国专利 :CN119497397A ,2025-02-21

[3]

磁性斯格明子存储器 [P].

邢国忠 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

赵之昊 .

中国专利 :CN119497397B ,2025-11-04

[4]

基于磁性斯格明子的赛道存储器 [P].

张杰磊 .

中国专利 :CN112289363A ,2021-01-29

[5]

一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜 [P].

李大来 ;

王守国 ;

陶丙山 ;

韩秀峰 .

中国专利 :CN104347226A ,2015-02-11

[6]

磁性斯格明子的写入方法、信息存储器件及读取系统 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

王亚栋 .

中国专利 :CN113393875A ,2021-09-14

[7]

一种基于磁性斯格明子的赛道存储器 [P].

汪晨 ;

杨欢欢 ;

王小凡 ;

曹云姗 ;

严鹏 .

中国专利 :CN108492845A ,2018-09-04

[8]

斯格明子存储器件及利用其的交叉阵列电路 [P].

朴在勤 ;

崔珍永 ;

田韩率 ;

权祜锭 ;

李昭玹 ;

黄灿镕 ;

梁承模 ;

文琼雄 .

韩国专利 :CN120917918A ,2025-11-07

[9]

斯格明子存储器件及利用其的交叉阵列电路 [P].

朴在勤 ;

崔珍永 ;

田韩率 ;

崔尧翰 ;

黄灿镕 ;

梁承模 ;

文琼雄 .

韩国专利 :CN120827020A ,2025-10-21

[10]

拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

王亚栋 .

中国专利 :CN113284542B ,2025-02-18

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