基于磁性斯格明子的存储器件及该器件存储信息的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010535862.X

申请日：

2020-06-12

公开(公告)号：

CN111768806B

公开(公告)日：

2020-10-13

发明(设计)人：

侯志鹏卫智健侯智博周艳张溪超李泽芳

申请人：

申请人地址：

510006 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院

IPC主分类号：

G11C1115

IPC分类号：

G11C1626

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

虞凌霄

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-31	授权	授权
2020-10-13	公开	公开
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/15 申请日:20200612

共 50 条

[1]

磁性斯格明子的写入方法、信息存储器件及读取系统 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

王亚栋 .

中国专利 :CN113393875A ,2021-09-14

[2]

基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件 [P].

袁野 ;

王伟 ;

王元 .

中国专利 :CN113285017B ,2021-08-20

[3]

磁性斯格明子存储器 [P].

邢国忠 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

赵之昊 .

中国专利 :CN119497397A ,2025-02-21

[4]

磁性斯格明子存储器 [P].

邢国忠 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

赵之昊 .

中国专利 :CN119497397B ,2025-11-04

[5]

基于磁性斯格明子的赛道存储器 [P].

张杰磊 .

中国专利 :CN112289363A ,2021-01-29

[6]

磁性存储器件和制造该磁性存储器件的方法 [P].

张荣万 ;

李俊明 ;

金起园 ;

朴容星 .

中国专利 :CN106953003A ,2017-07-14

[7]

磁性存储器件和制造该磁性存储器件的方法 [P].

郑炯钟 ;

高昇必 ;

柳炅勋 ;

裵丙才 ;

申光日 .

韩国专利 :CN118695613A ,2024-09-24

[8]

斯格明子存储器件及利用其的交叉阵列电路 [P].

朴在勤 ;

崔珍永 ;

田韩率 ;

权祜锭 ;

李昭玹 ;

黄灿镕 ;

梁承模 ;

文琼雄 .

韩国专利 :CN120917918A ,2025-11-07

[9]

斯格明子存储器件及利用其的交叉阵列电路 [P].

朴在勤 ;

崔珍永 ;

田韩率 ;

崔尧翰 ;

黄灿镕 ;

梁承模 ;

文琼雄 .

韩国专利 :CN120827020A ,2025-10-21

[10]

存储器件的制造方法及该存储器件 [P].

张金霜 ;

邹荣 ;

王奇伟 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN110797342B ,2020-02-14

← 1 2 3 4 5 →