磁性斯格明子存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411542451.8

申请日：

2024-10-31

公开(公告)号：

CN119497397B

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

邢国忠刘龙张一帆赵之昊

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H10B61/00

IPC分类号：

H10N50/10 H10N50/80 G11C11/16

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任亚欣

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	授权	授权
2025-02-21	公开	公开
2025-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 61/00申请日:20241031

共 50 条

[1]

磁性斯格明子存储器 [P].

邢国忠 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

赵之昊 .

中国专利 :CN119497397A ,2025-02-21

[2]

一种基于磁性斯格明子的赛道存储器 [P].

汪晨 ;

杨欢欢 ;

王小凡 ;

曹云姗 ;

严鹏 .

中国专利 :CN108492845A ,2018-09-04

[3]

基于磁性斯格明子的赛道存储器 [P].

张杰磊 .

中国专利 :CN112289363A ,2021-01-29

[4]

拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

王亚栋 .

中国专利 :CN113284542B ,2025-02-18

[5]

拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

王亚栋 .

中国专利 :CN113284542A ,2021-08-20

[6]

基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件 [P].

袁野 ;

王伟 ;

王元 .

中国专利 :CN113285017B ,2021-08-20

[7]

磁性斯格明子写入装置 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

徐姣 ;

王亚栋 ;

张溪超 ;

周艳 .

中国专利 :CN212934660U ,2021-04-09

[8]

一种基于磁性斯格明子的逻辑门 [P].

杨欢欢 ;

汪晨 ;

王小凡 ;

曹云姗 ;

严鹏 .

中国专利 :CN108521275B ,2018-09-11

[9]

一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法、磁性存储单元及存储器 [P].

周钰卿 ;

周艳 ;

赵月雷 ;

武凯 ;

杨晟 ;

张溪超 .

中国专利 :CN112510146A ,2021-03-16

[10]

一种通过电流诱导在磁性多层膜中产生斯格明子的方法、磁性存储单元及存储器 [P].

周钰卿 ;

周艳 ;

赵月雷 ;

武凯 ;

杨晟 ;

张溪超 .

中国专利 :CN112510146B ,2025-07-25

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