磁性斯格明子写入装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021291431.5

申请日：

2020-07-03

公开(公告)号：

CN212934660U

公开(公告)日：

2021-04-09

发明(设计)人：

侯志鹏卫智健徐姣王亚栋张溪超周艳

申请人：

申请人地址：

511400 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院

IPC主分类号：

H01L4302

IPC分类号：

H01L4308 H01L4312 G11C1116

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

左帮胜

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-09	授权	授权

共 50 条

[1]

磁性斯格明子写入装置及其形成方法 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

徐姣 ;

王亚栋 ;

张溪超 ;

周艳 .

中国专利 :CN113889566A ,2022-01-04

[2]

磁性斯格明子写入装置及其形成方法 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

徐姣 ;

王亚栋 ;

张溪超 ;

周艳 .

中国专利 :CN113889566B ,2025-12-30

[3]

磁性斯格明子存储器 [P].

邢国忠 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

赵之昊 .

中国专利 :CN119497397A ,2025-02-21

[4]

磁性斯格明子存储器 [P].

邢国忠 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

赵之昊 .

中国专利 :CN119497397B ,2025-11-04

[5]

磁性斯格明子的磁场驱动方法 [P].

邢祥军 .

中国专利 :CN114496012A ,2022-05-13

[6]

磁性斯格明子的磁场驱动方法 [P].

邢祥军 .

中国专利 :CN114496012B ,2024-03-19

[7]

一种磁性斯格明子材料 [P].

王文洪 ;

张颖 ;

刘恩克 ;

吴光恒 .

中国专利 :CN105950941A ,2016-09-21

[8]

拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

王亚栋 .

中国专利 :CN113284542B ,2025-02-18

[9]

磁性斯格明子的写入方法、信息存储器件及读取系统 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

王亚栋 .

中国专利 :CN113393875A ,2021-09-14

[10]

拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

王亚栋 .

中国专利 :CN113284542A ,2021-08-20

← 1 2 3 4 5 →