拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110594624.0

申请日：

2021-05-28

公开(公告)号：

CN113284542B

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

侯志鹏卫智健王亚栋

申请人：

华南师范大学

申请人地址：

511400 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学华南先进光电子研究院

IPC主分类号：

G11C19/08

IPC分类号：

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

纪婷婧

法律状态：

授权

国省代码：

广东省佛山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-18	授权	授权

共 50 条

[1]

拓扑磁结构、磁性斯格明子的写入方法及存储器 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

王亚栋 .

中国专利 :CN113284542A ,2021-08-20

[2]

磁性斯格明子存储器 [P].

邢国忠 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

赵之昊 .

中国专利 :CN119497397A ,2025-02-21

[3]

磁性斯格明子存储器 [P].

邢国忠 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

赵之昊 .

中国专利 :CN119497397B ,2025-11-04

[4]

基于磁性斯格明子的赛道存储器 [P].

张杰磊 .

中国专利 :CN112289363A ,2021-01-29

[5]

磁性斯格明子的写入方法、信息存储器件及读取系统 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

王亚栋 .

中国专利 :CN113393875A ,2021-09-14

[6]

磁性斯格明子写入装置 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

徐姣 ;

王亚栋 ;

张溪超 ;

周艳 .

中国专利 :CN212934660U ,2021-04-09

[7]

一种基于磁性斯格明子的赛道存储器 [P].

汪晨 ;

杨欢欢 ;

王小凡 ;

曹云姗 ;

严鹏 .

中国专利 :CN108492845A ,2018-09-04

[8]

一种热辅助磁性斯格明子存储器及数据写入方法 [P].

游龙 ;

王垚元 ;

罗时江 .

中国专利 :CN111446361A ,2020-07-24

[9]

基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件 [P].

袁野 ;

王伟 ;

王元 .

中国专利 :CN113285017B ,2021-08-20

[10]

基于磁性斯格明子的存储器件及该器件存储信息的方法 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

侯智博 ;

周艳 ;

张溪超 ;

李泽芳 .

中国专利 :CN111768806B ,2020-10-13

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