斯格明子存储器件及利用其的交叉阵列电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480020633.0

申请日：

2024-03-21

公开(公告)号：

CN120917918A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

朴在勤崔珍永田韩率权祜锭李昭玹黄灿镕梁承模文琼雄

申请人：

汉阳大学校产学协力团韩国标准科学研究院

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H10N50/10

IPC分类号：

H10N50/85 H10B61/00 H10N59/00

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

黄清;王蕊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开
2025-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 50/10申请日:20240321

共 50 条

[1]

斯格明子存储器件及利用其的交叉阵列电路 [P].

朴在勤 ;

崔珍永 ;

田韩率 ;

崔尧翰 ;

黄灿镕 ;

梁承模 ;

文琼雄 .

韩国专利 :CN120827020A ,2025-10-21

[2]

磁性斯格明子存储器 [P].

邢国忠 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

赵之昊 .

中国专利 :CN119497397A ,2025-02-21

[3]

磁性斯格明子存储器 [P].

邢国忠 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

赵之昊 .

中国专利 :CN119497397B ,2025-11-04

[4]

基于磁性斯格明子的存储器件及该器件存储信息的方法 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

侯智博 ;

周艳 ;

张溪超 ;

李泽芳 .

中国专利 :CN111768806B ,2020-10-13

[5]

基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件 [P].

袁野 ;

王伟 ;

王元 .

中国专利 :CN113285017B ,2021-08-20

[6]

磁性斯格明子的写入方法、信息存储器件及读取系统 [P].

侯志鹏 ;

卫智健 ;

王亚栋 .

中国专利 :CN113393875A ,2021-09-14

[7]

基于磁性斯格明子的赛道存储器 [P].

张杰磊 .

中国专利 :CN112289363A ,2021-01-29

[8]

选择器件及利用其的存储器件 [P].

朴在勤 .

韩国专利 :CN113196510B ,2024-08-13

[9]

选择器件及利用其的存储器件 [P].

朴在勤 .

中国专利 :CN113196510A ,2021-07-30

[10]

具有交叉点存储阵列的存储器件 [P].

郑智贤 ;

姜大焕 ;

金杜应 ;

李光振 .

中国专利 :CN109768158A ,2019-05-17

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