氮化物半导体激光器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01123674.4

申请日：

2001-09-03

公开(公告)号：

CN1340891A

公开(公告)日：

2002-03-20

发明(设计)人：

山口敦史仓本大仁道正明

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;方挺

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2002-03-20	公开	公开
2002-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

氮化物半导体激光器 [P].

冨谷茂隆 ;

日野智公 .

中国专利 :CN1203598C ,2003-12-31

[2]

一种氮化物半导体激光器 [P].

冯美鑫 ;

张书明 ;

刘建平 ;

李增成 ;

杨辉 .

中国专利 :CN102570308A ,2012-07-11

[3]

Ⅲ族氮化物半导体激光器 [P].

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102097747B ,2011-06-15

[4]

Ⅲ族氮化物半导体激光器 [P].

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN101682172B ,2010-03-24

[5]

氮化物半导体激光器元件 [P].

枡井真吾 .

中国专利 :CN103840370B ,2014-06-04

[6]

氮化物半导体激光器元件 [P].

道上敦生 ;

森住知典 ;

高桥祐且 .

中国专利 :CN101257186A ,2008-09-03

[7]

氮化物半导体激光器件 [P].

津田有三 ;

花冈大介 ;

石田真也 .

中国专利 :CN101132113A ,2008-02-27

[8]

氮化物半导体激光器件 [P].

津田有三 ;

花冈大介 ;

石田真也 .

中国专利 :CN1702927A ,2005-11-30

[9]

氮化物系半导体激光器的制造方法以及氮化物系半导体激光器 [P].

金本恭三 ;

盐泽胜臣 .

中国专利 :CN101527428A ,2009-09-09

[10]

氮化物半导体激光器以及外延基板 [P].

京野孝史 ;

盐谷阳平 ;

住友隆道 ;

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 ;

田才邦彦 ;

中岛博 .

中国专利 :CN103999305A ,2014-08-20

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