氮化物半导体激光器元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810080896.3

申请日：

2008-02-26

公开(公告)号：

CN101257186A

公开(公告)日：

2008-09-03

发明(设计)人：

道上敦生森住知典高桥祐且

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01S510 H01S522 H01S530

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001418704 IPC(主分类):H01S 5/00 专利申请号:2008100808963 申请日:20080226
2008-09-03	公开	公开
2012-06-20	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体激光器元件 [P].

枡井真吾 .

中国专利 :CN103840370B ,2014-06-04

[2]

氮化物系半导体激光器元件 [P].

久纳康光 .

中国专利 :CN102623892A ,2012-08-01

[3]

氮化物半导体激光器 [P].

冨谷茂隆 ;

日野智公 .

中国专利 :CN1203598C ,2003-12-31

[4]

氮化物半导体激光器 [P].

山口敦史 ;

仓本大 ;

仁道正明 .

中国专利 :CN1340891A ,2002-03-20

[5]

氮化物半导体激光器件 [P].

津田有三 ;

花冈大介 ;

石田真也 .

中国专利 :CN101132113A ,2008-02-27

[6]

氮化物半导体激光器件 [P].

津田有三 ;

花冈大介 ;

石田真也 .

中国专利 :CN1702927A ,2005-11-30

[7]

氮化物系半导体激光器的制造方法以及氮化物系半导体激光器 [P].

金本恭三 ;

盐泽胜臣 .

中国专利 :CN101527428A ,2009-09-09

[8]

Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

德山慎司 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN101984774B ,2011-03-09

[9]

Ⅲ族氮化物半导体激光器 [P].

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102097747B ,2011-06-15

[10]

Ⅲ族氮化物半导体激光器 [P].

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN101682172B ,2010-03-24

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