氮化物半导体激光器元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310611160.5

申请日：

2013-11-26

公开(公告)号：

CN103840370B

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

枡井真吾

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

樊建中

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-09	授权	授权
2014-06-04	公开	公开
2015-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101623016997 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2013106111605 申请日:20131126

共 50 条

[1]

氮化物半导体激光器元件 [P].

道上敦生 ;

森住知典 ;

高桥祐且 .

中国专利 :CN101257186A ,2008-09-03

[2]

氮化物系半导体激光器元件 [P].

久纳康光 .

中国专利 :CN102623892A ,2012-08-01

[3]

氮化物半导体激光器 [P].

冨谷茂隆 ;

日野智公 .

中国专利 :CN1203598C ,2003-12-31

[4]

氮化物半导体激光器 [P].

山口敦史 ;

仓本大 ;

仁道正明 .

中国专利 :CN1340891A ,2002-03-20

[5]

Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

京野孝史 ;

足立真宽 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

德山慎司 ;

片山浩二 ;

中村孝夫 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN101984774B ,2011-03-09

[6]

Ⅲ族氮化物半导体激光器 [P].

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102097747B ,2011-06-15

[7]

Ⅲ族氮化物半导体激光器 [P].

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN101682172B ,2010-03-24

[8]

III族氮化物半导体激光器元件、III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 [P].

高木慎平 ;

善积祐介 ;

片山浩二 ;

上野昌纪 ;

池上隆俊 .

中国专利 :CN102934302A ,2013-02-13

[9]

III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法 [P].

善积祐介 ;

高木慎平 ;

池上隆俊 ;

上野昌纪 ;

片山浩二 .

中国专利 :CN102668279A ,2012-09-12

[10]

氮化物半导体激光器件 [P].

津田有三 ;

花冈大介 ;

石田真也 .

中国专利 :CN101132113A ,2008-02-27

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