场效应晶体管、电气元件阵列以及它们的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480011944.3

申请日：

2004-11-30

公开(公告)号：

CN1784788A

公开(公告)日：

2006-06-07

发明(设计)人：

七井识成竹内孝之

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

蔡洪贵

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-06-07	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

村濑清一郎 ;

山本真衣子 ;

真多淳二 ;

清水浩二 .

中国专利 :CN105190901A ,2015-12-23

[2]

场效应晶体管 [P].

陈杰良 .

中国专利 :CN1767208A ,2006-05-03

[3]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[4]

场效应晶体管布置和场效应晶体管布置的制造方法 [P].

亚尔马·E·A·胡伊特马 ;

巴尔特-亨德里克·胡伊斯曼 .

中国专利 :CN1791990B ,2006-06-21

[5]

场效应晶体管的制造方法 [P].

杨建勋 ;

杨建伦 ;

张克正 .

中国专利 :CN113658914A ,2021-11-16

[6]

场效应晶体管的制造方法 [P].

东清一郎 ;

安部大介 .

中国专利 :CN1341956A ,2002-03-27

[7]

场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法 [P].

金洞院 ;

金大万 ;

丁润夏 ;

朴修永 ;

朴赞训 ;

白禄贤 ;

李尚贤 .

中国专利 :CN103378161A ,2013-10-30

[8]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25

[9]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

[10]

场效应晶体管 [P].

桑原博一 ;

池田征明 ;

泷宫和男 .

中国专利 :CN102333780A ,2012-01-25

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